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公开(公告)号：CN117525197B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410008373.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/02 , H01L31/18
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公开(公告)号：CN113140640A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110413537.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜，第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上，第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN108923750B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201810958398.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明提供一种基于迟滞效应分析的光伏器件电容‑电压特性曲线测试方法，基于常规光伏器件电流‑电压曲线测量方法，首先对光伏器件在不同扫描时间、相同扫描点数测试条件下的一系列电流‑电压曲线进行测量，其中每种测试条件下，光伏器件从0伏到开路电压（正向扫描）以及从开路电压到0伏（反向扫描）两种扫描方向下进行测试，然后利用光伏器件等效电路推导的迟滞效应方程，运用数值算法计算得到待测光伏器件的电容‑电压曲线。本发明的测试方法仅需常规的电流电压曲线测试设备即可获得光伏器件的电容‑电压特性曲线。本发明提供的测试方法能够准确测试高效光伏器件电容‑电压特性曲线，有助于评估光伏器件的界面态和缺陷密度。
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公开(公告)号：CN111952381A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010858366.8
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。
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公开(公告)号：CN109449257A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201910004393.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法，后氢化处理方法包括：提供一待处理非晶薄膜，并将其置于一设置有热丝的反应腔室中；向反应腔室中通入反应气体，热丝催化分解反应气体至少产生氢原子，并对待处理非晶薄膜进行热辐射，从而使得氢原子扩散至所述待处理非晶薄膜内，以实现对待处理非晶薄膜的后氢化处理。本发明的非晶薄膜的后氢化处理方法，通过在热丝热辐射条件下，使得原子氢在处理非晶薄膜的过程中扩散到薄膜内，减少薄膜内的悬挂键等缺陷态密度，本发明的后氢化处理方法可以应用到非晶硅/晶体硅异质结太阳电池中，如其窗口材料中，能够显著提高窗口层的钝化性能及透光性能，提高太阳电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106899268B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710244895.7
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明提供一种多通道光伏组件户外发电特性与并网衰减状况测试系统，其包括光伏组件、光伏组件选择控制器、电流‑电压特性曲线测试仪、逆变器、标准太阳电池、热电偶、热电偶选择器以及处理系统。所述测试系统可以实现对并网状态下光伏组串中的任意光伏组件进行抽取并完成直流端电学特性扫描而不影响整个光伏组串的正常工作。通过对直流电学参数、环境参数的测试对比，可以得出光伏组件在不同气候环境下的发电特性；通过对光伏组件直流与光伏组串交流发电数据的长期积累，可以获得其衰减与可靠性数据。本发明可以在不中断光伏组串并网工作的条件下，测试其中光伏组件的真实发电数据，实现不同光伏组件的发电性能对比，测试结果精确可靠。
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公开(公告)号：CN109004053A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710416600.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本发明的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本发明具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。
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公开(公告)号：CN108923750A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810958398.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明提供一种基于迟滞效应分析的光伏器件电容-电压特性曲线测试方法，基于常规光伏器件电流-电压曲线测量方法，首先对光伏器件在不同扫描时间、相同扫描点数测试条件下的一系列电流-电压曲线进行测量，其中每种测试条件下，光伏器件从0伏到开路电压（正向扫描）以及从开路电压到0伏（反向扫描）两种扫描方向下进行测试，然后利用光伏器件等效电路推导的迟滞效应方程，运用数值算法计算得到待测光伏器件的电容-电压曲线。本发明的测试方法仅需常规的电流电压曲线测试设备即可获得光伏器件的电容-电压特性曲线。本发明提供的测试方法能够准确测试高效光伏器件电容-电压特性曲线，有助于评估光伏器件的界面态和缺陷密度。
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公开(公告)号：CN105624795B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610133650.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105895746A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610494414.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层?金属栅线?介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
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