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公开(公告)号：CN118611603A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410766177.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种增强稳定性的跨导提升线性功率放大器。该功率放大器采用共源共栅结构，在共源级的栅极和漏极引入交叉电容中和技术提高增益和隔离度，在共栅级的栅极和源极引入跨导提升技术进一步提高增益和功率附加效率。为了解决跨导提升技术带来的稳定性问题，提出了一种漏源电容中和技术，有效地提高了整体放大器的稳定性。此外，在共源级、共栅级的中间节点和共栅级的栅极各自引入一个“电感‑电容‑电感”型的二次谐波陷波网络以抑制二次谐波，在宽带内有效地减轻了AM‑PM失真，提高了线性度。
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公开(公告)号：CN116208093A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310241635.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种能够补偿工艺和温度导致晶体振荡器幅度变化的电路，包括工艺补偿部分和温度补偿部分。其中，工艺补偿部分包括一个偏置产生电路和一个电流拆分电路，通过对偏置电压控制进而改变电流拆分电路的电流大小，有效补偿因工艺偏差造成的振荡器幅度变化问题。温度补偿部分包括温度传感器、数字处理以及N位电流开关阵列，通过感知温度进而输出对应的码字控制电流开关阵列，补偿了由于温度变化导致的振荡器的幅度变化。本发明根据工艺或者温度的变化补偿晶体振荡器振荡幅度，这种技术较之前已经公布的研究相比减少了对振荡器的振荡幅度调整反复迭代的过程，缩短了对振荡器电路幅度调整的响应时间。
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公开(公告)号：CN107591618A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710816522.2
申请日：2017-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波空气槽差分集成天线，包括差分馈电网络、辐射模块、引向辐射模块、键合线补偿网络和背腔空气槽五个部分。具体地，辐射模块和引向辐射模块由偶数个左右对称的辐射贴片单元组成，信号通过差分线和一分多的T型结构功分至每个辐射贴片单元。天线背面地部分刻蚀，通过在基座上实现空气腔来拓展天线的带宽。天线与芯片通过键合线相连，为了补偿键合线的电感效应，在键合线之间引入一个容性贴片形成L(电感)-C(电容)-L(电感)网络，以降低天线和芯片之间的互联损耗。为拓展天线带宽，在辐射贴片单元侧引入寄生贴片。本发明采用与芯片高度一致的介质材料设计天线，有利于天线和芯片的粘片、键合和封装。
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公开(公告)号：CN101656476A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910035050.2
申请日：2009-09-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了模拟集成电路中的一种预充放电LVDS(低电压差分信号)驱动器。该驱动器的结构是在传统LVDS驱动器电路上增加由两个开关电流源和一个预充放电容组成的预充放电路，其中：两个开关电流源分别增加在传统驱动器桥接开关的两端，且受nD信号控制：nD为高电平时电流源开启，nD为低电平时电流源关闭；预充放电容跨接在桥接开关的两端，用做电荷预存储，以进一步提高边沿充放电速度。本发明的预充放电机制大大减小了负载寄生电容对电路工作速度的影响，同时所需的额外电流极少。
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公开(公告)号：CN1556586A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200410013804.1
申请日：2004-01-05
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/50
Abstract: 一种涉及模拟集成电路的准推挽源极跟随器，包括2对晶体管，第一对晶体管的栅极作为信号输入端，源极作为信号输出端，其漏极相连并共同接电源，其源极分别与第二对晶体管的漏极相接，该第二对晶体管的栅极被偏置在一参考电压上，在第二对晶体管的漏极上设有第三对晶体管且第二对晶体管的漏极分别与第三对晶体管的漏极相连接，第二对晶体管与第三对晶体管的源极共同接地，第三对晶体管的栅极与漏极相互交叉连接。本发明提出的准推挽源极跟随器在不增加电源功耗的前提下，利用电流重利用技术，即在信号下降沿，利用一部分电流在第三对晶体管产生跨导，形成动态下拉电流，使波形的边沿特性得到有效改善，相应地提高输出信号的摆率和幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119966439A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510214549.9
申请日：2025-02-26
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种基于三线圈变压器的发射端天线开关，属于射频领域，所述基于三线圈变压器的发射开关包括变压器的初级线圈、变压器的次级线圈、耦合线圈、射频功率放大器、射频开关；其中，变压器的初级线圈的两端接射频功率放大器的输出端，变压器的次级线圈的两端分别接天线和地，耦合线圈的两端接射频开关的两端，耦合线圈同时与变压器的初级线圈、变压器的次级线圈耦合，组成一个完整的发射端天线开关。在发射模式下，开关断开，耦合线圈开路，对变压器的初级线圈、变压器的次级线圈的工作影响很小；在接收模式下，开关导通，可以提高功率放大器的关闭阻抗，降低接收信号的泄露。
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公开(公告)号：CN119742579A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411929945.1
申请日：2024-12-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种双极化互补型毫米波天线，属于无线通信技术领域；天线由上至下依次包括：第一介质层、第二粘结层、第三介质层、第四粘结层、第五介质层、第六粘结层、第七介质层；第一介质层上表面设有关于中心对称且呈蝶形的金属贴片，金属贴片包括梯形偶极子结构和方形环状结构，梯形偶极子结构中包括两个梯形贴片，两个梯形贴片长边向第一介质层边缘分别引出第一天线馈线和第二天线馈线，构成差分馈电网络；第五介质层上表面为天线参考地，其中心位置开设H形缝隙，第五介质层下表面为第三天线馈线；第七介质层的下表面为馈线参考地；第五介质层上设有由多个短路金属柱组成的阵列结构，由短路金属柱组成的阵列结构上端接天线参考地，下端接馈线参考地。
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公开(公告)号：CN119628601A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411699599.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 东南大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开了一种小步进可调的宽带电阻衰减器，涉及衰减器技术领域，包含第一端口电阻、第二端口电阻、第一级电阻衰减器和第二级电阻衰减器。其中第一端口电阻一端连接电流输入端口的正极，另一端连接虚地点。第二端口电阻一端连接电流输入端口的负极，另一端连接虚地点。第一端口电阻和第二端口电阻起到了阻抗匹配的作用。第一级电阻衰减器的输入端连接电流输入端口，输出端连接第二级电阻衰减器的输入端。其利用电阻分流的原理实现2dB的衰减量调节。第二级衰减器的输出端连接整体衰减器的电压输出端口。第二级衰减器采用R‑2R的结构，可实现6dB的衰减量调节，同时支持高的负载阻抗。整个衰减器可实现22dB衰减量调节范围、2dB调节步进。由于该衰减器在不同衰减量时输出阻抗的变化不大，因此其可应用于宽带的场景。
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公开(公告)号：CN118631181A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410791367.3
申请日：2024-06-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子群优化算法的高精度可变增益放大器，包括底层可变增益放大器跨导阵列第一晶体管M1,i、第二晶体管M2,i、第三晶体管M3,i、第四晶体管M4,i，底层可变增益放大器尾电流源第五晶体管M5,i、第六晶体管M6,i，级间匹配网络第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4，顶层可变增益放大器跨导阵列的第七共栅晶体管M7,j、第八共栅晶体管M8,j、第九共栅晶体管M9,j、第十共栅晶体管M10,j，顶层可变增益放大器主放大通路的第十一共源晶体管M11、第十二共源晶体管M12，隔直电容；通过结合粒子群优化算法的设计方法进行晶体管尺寸的选择，本发明实现了高精度、大调节范围的可变增益放大器，同时能够应对工艺角、温度、电压偏差引起的性能变化。
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公开(公告)号：CN118630472A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410807694.3
申请日：2024-06-21
Abstract: 本发明涉及一种低成本双频双极化毫米波天线，该天线由位于第一介质层上表面的四个中心对称布置的金属贴片、位于第二介质层上方中心位置的十字形贴片以及其与参考地之间的4个短路金属柱、穿过第二和三介质层的一组同轴探针和位于第三介质层下方正交摆放的馈线组成；位于十字贴片中心位置的4个短路金属柱降低了两极化馈电探针之间的能量耦合，显著增强高频率下的极化隔离性能。通过在金属贴片边缘切角设计，延长其表面电流路径，实现天线的小型化。金属贴片谐振在高频段，十字形贴片谐振在低频段，两者协同工作确保天线能够全面覆盖5G新空口(NR)FR2毫米波频谱范围，展现出卓越的频带兼容性和广泛的应用潜力。
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