公开(公告)号：CN102891075B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210251656.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN104347353A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN102099900B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980127593.5

申请日：2009-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  柿本明修 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种清洗方法，其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗，在去除清洗液或干燥时，能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括：将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工序中，发生莱顿弗罗斯特现象，在向基板供给的清洗液的液滴和基板之间存在所述清洗液的蒸汽，在加热基板的工序中基板被加热。

公开(公告)号：CN103088311A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210418546.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  柿本明修 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。

公开(公告)号：CN102543795A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。

公开(公告)号：CN102365386A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080013870.2

申请日：2010-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  柿本明修 ,  堀田隼史

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 向腔室内搬入被处理基板的晶片，将腔室内保持于真空状态，加热晶片，同时向腔室内交替地供给TiCl4气体和MMH气体，在晶片上形成TiN膜。

公开(公告)号：CN102234786A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110107275.1

申请日：2011-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  村上博纪 ,  柿本明修

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: 本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在晶种层上形成非晶体硅膜。

公开(公告)号：CN101015052A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580030335.7

申请日：2005-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 在本发明的薄膜电容器中，抑制电场集中，降低漏电流。在由导电材料构成的下部电极(22)上形成第一锆氧化物层(26A)。在第一锆氧化物层(26A)上形成由非结晶材料构成的缓冲层(28)。在缓冲层(28)上形成第二锆氧化物层(26B)，在第二锆氧化物层(26B)上形成由导电材料构成的上部电极(24)。