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公开(公告)号：CN100349043C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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公开(公告)号：CN1931453A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610151435.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号：CN1682342A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822259.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供改进的用于等离子加工系统的上电极，其中有关带有连接至上电极的沉积罩的电极板的设计和制作有利地提供对上电极腐蚀充分小的加工气体的气体注入，同时提供对室内部的保护。
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公开(公告)号：CN1682341A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822206.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。
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公开(公告)号：CN1661433A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119318006A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380048267.5
申请日：2023-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
Abstract: 本发明的检查方法对第一基片所具有的检查对象进行检查，包括：步骤（a），准备具有第一电极的上述第一基片；步骤（b），准备具有第二电极、第三电极和接合部的第二基片；步骤（c），通过将上述第一基片与上述第二基片以将上述接合部夹在中间的方式利用粘接剂接合，使上述第一电极与上述第二电极电接触并且在上述第一基片与上述第二基片之间形成密闭空间；步骤（d），将上述粘接剂固化；步骤（e），对上述检查对象进行检查；和步骤（f），从上述第二基片剥离上述第一基片，在上述步骤（f）中，在从上述第二基片剥离上述第一基片时，上述粘接剂对于上述第一基片的粘接强度比上述粘接剂对于上述第二基片的粘接强度高。
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公开(公告)号：CN113917307B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110726775.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种载置台的温度调节方法和检查装置。所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对多个区域分别设置有加热器，温度调节方法包括：对多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和控制基片载置面上的多个区域中与主区域相邻的副区域的加热器的步骤，在控制副区域的加热器的步骤中，在主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使主区域与副区域的温度差成为规定值，在主区域的温度发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使设定温度与副区域的温度之差成为规定值。根据本发明，能够不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。
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公开(公告)号：CN116888716A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280015291.4
申请日：2022-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
IPC: H01L21/66
Abstract: 根据本发明的一方面的检查设备，包括：载置台，用于承载基板；第一温度传感器，用于测量所述载置台的表面温度和所述载置台所承载的所述基板的温度；第二温度传感器，用于控制所述载置台的温度；以及控制部，构成为基于所述第一温度传感器所测量的所述载置台的表面温度和所述基板的温度，使所述第二温度传感器的控制温度偏移，来控制所述载置台的温度。
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公开(公告)号：CN111650405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010121103.9
申请日：2020-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
Abstract: 本发明提供一种检查装置中的清洁方法和检查装置，不仅能够进行检查装置内的载置台的清洁、还能够进行探针的清洁。用于对形成于被检查体的被检查器件进行电气特性检查的检查装置中的清洁方法包括以下工序：搬送工序，将用于载置所述被检查体的载置台搬送到与具有在所述电气特性检查时同所述被检查器件接触的探针的探针卡相向的位置；接着为剥离准备工序，对所述探针卡与同该探针卡相向的所述载置台之间的空间进行排气、减压；异物剥离工序，向被减压后的所述空间导入气体，来使附着于所述载置台的表面和所述探针的异物剥离；以及异物排出工序，一边维持所述气体向所述空间的导入，一边对该空间进行排气来排出所述异物。
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公开(公告)号：CN113937021A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110751970.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
Abstract: 本发明提供一种可提高基片的温度调节的响应性的检查装置。本发明的检查装置包括：能够载置基片的载置台；冷却部，其对载置在所述载置台上的所述基片进行冷却；探针卡，其具有与所述基片接触来进行供电的探针；光照射机构，其对所述基片的与载置面相反的面照射光；和控制所述光照射机构的控制部。
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