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公开(公告)号：CN103897202A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586912.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以聚苯乙烯纳米颗粒作为内核，以氧化硅作为壳层，形成聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料抛光液的制备方法，属精密抛光材料制备工艺技术领域。本发明提供一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法，包括如下步骤：（1）聚苯乙烯纳米颗粒的制备；（2）在步骤1制备得到的PS胶体中加入醇，搅拌得到均匀混合的液体，之后加入氨水，其用量为0.3～8wt%；最后加入TEOS；搅拌12～48小时即可得到复合磨料；（3）由复合磨料制备抛光液。本发明提供的聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法所制备的复合磨料具有光滑的表面，适合作为抛光液中的磨料。
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公开(公告)号：CN103896287A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587490.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种非球形二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒由2~10个二氧化硅胶体粒子聚集而成。本产品的有益效果是：通过二价金属离子的诱导作用，形成非球形的二氧化硅晶种。在该晶种表面包覆一层聚苯乙烯薄层（由苯乙烯聚合而成）。由于晶种是非球形的，表面的曲率各处不同，有正有负。在具有负曲率（即凹陷处）的地方表面张力大，聚苯乙烯不易包覆，故留下了空洞，露出二氧化硅。持续添加的硅酸会优先附着在这些露出二氧化硅的表面，并进行脱水聚合，最终形成2-10个小颗粒聚集成的大颗粒状二氧化硅胶体粒子。
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公开(公告)号：CN103618045A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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公开(公告)号：CN103589344A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310567464.6
申请日：2013-11-14
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝抛光液的制备方法，首先将氧化铝粉末经搅拌分散于酸性水溶液中，形成酸性氧化铝分散液；然后加热搅拌条件下，滴加硅酸盐水溶液，滴加完毕后停止加热；继续搅拌陈化即得；在氧化铝分散液的基础上，通过引入硅酸盐，利用硅和铝间独特的亲和作用，在氧化铝颗粒表面形成部分硅原子替代、电荷反转，从而有效提高氧化铝抛光液的悬浮稳定性，而与此同时不影响抛光性能。
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公开(公告)号：CN102757732B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210219203.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种可有效应用于Al衬底化学机械抛光工艺的抛光液。本发明提供一种Al衬底用化学机械抛光液,包含抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂、pH调节剂及水性介质。其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：抛光颗粒0.1-50wt%；氧化剂0.01-10wt%；螯合剂0.01-5wt%；腐蚀抑制剂0.0001-5wt%；表面活性剂0.001-2wt%；余量为pH调节剂和水性介质。可显著降低化学机械抛光后Al衬底表面的桔皮坑等缺陷,从而大大改善抛光后Al衬底表面质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113277521A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531736.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C01B33/143 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种胶体二氧化硅的制备方法，本发明采用胶体二氧化硅颗粒边生长边过滤边超滤浓缩排水的方法，实现颗粒制造周期缩短一半以上，生产效率大大提高；制备得到的胶体二氧化硅，粒径在60nm‑150nm，大颗粒数(≥0.56微米的颗粒数)
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公开(公告)号：CN111748286A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010618676.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种金属钴抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤10％；L-天冬氨酸0.005-10％；谷胱甘肽0.005-10％。本发明通过调配氧化剂和络合剂的比例以及添加谷胱甘肽，得到的抛光液可以抑制金属钴的化学腐蚀，同时提高抛光速率以及降低表面粗糙度，同时降低Cu-Co之间的电偶腐蚀，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104559798B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410837824.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对蓝宝石衬底材料的抛光速率可控制在50nm/min到200nm/min,同时表面粗糙度降低到了15Å以下。利用上述抛光液可实现对蓝宝石衬底材料速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光。
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公开(公告)号：CN106044786A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610382474.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C01B33/145 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , C01B33/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸，在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位，期间，滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5，保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度，同时减少划痕产生。
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公开(公告)号：CN103682094B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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