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公开(公告)号：CN103500795A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
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公开(公告)号：CN102516879A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411364.5
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、电化学腐蚀抑制剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述电化学腐蚀抑制剂的含量为0.0001-10wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著抑制化学机械抛光过程中相变材料发生电化学腐蚀，从而大大改进相变材料图形片化学机械抛光工艺。
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公开(公告)号：CN102516878A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
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公开(公告)号：CN103618045B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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公开(公告)号：CN103497688B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310462116.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103497688A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310462116.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。
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公开(公告)号：CN102516878B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1?30wt%，所述氧化剂的含量为0.01?10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001?5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
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公开(公告)号：CN103500795B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
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公开(公告)号：CN103618045A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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公开(公告)号：CN103855301B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210517155.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。
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