利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法

    公开(公告)号:CN102391868B

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110272535.0

    申请日:2011-09-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的方法,属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是:采用Stöber法将正硅酸四乙酯(TEOS)在氨(NH3·H2O)和水(H2O)的混合溶液中进行水解来制备单分散SiO2球形颗粒,然后在Lu3+离子溶液中改变pH值利用液相包裹法在其表面包裹Lu(OH)3得到具有核壳结构的Lu(OH)3@SiO2复合粒子,通过高温煅烧实现LSO颗粒的原位合成,在1200℃下的煅烧条件下实现了铈掺杂的硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的合成。

    镥铝石榴石透明闪烁陶瓷的低温真空烧结制备方法

    公开(公告)号:CN102690113A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210182586.9

    申请日:2012-06-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种Ce3+掺杂镥铝石榴石(Ce:Lu3Al5O12)透明闪烁陶瓷的低温真空烧结制备方法。本发明方法的特点是以碳酸氢铵作为沉淀剂,以高纯度Lu(NO3)3,Al(NO3)3,Ce(NO3)3的混合溶液为起始反应溶液,采用反滴定工艺,通过加入少量HPC作为分散剂同时对煅烧后的粉体采用球磨方法进一步减少粉体间的团聚从而获得了高烧结活性,分散性好、团聚少、粒径小的多晶纳米粉体,再利用上述粉体在真空条件下成功制备出了高质量的透明闪烁陶瓷。制备出的透明陶瓷透明性好,衰减时间达到纳秒级(30ns),闪烁性能优异,是一种很有前途的可应用于医学、高能物理、地质勘探等领域的闪烁材料。

    Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的无压烧结制备方法

    公开(公告)号:CN102557598A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210007992.1

    申请日:2012-01-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的方法,属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce:Lu2SiO5陶瓷粉体,将上述粉体经干压、等静压成型后在流动的H2气氛条件下于1600-1800℃进行无压烧结获得Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。获得材料的相对密度达到理论密度的98.5%以上,在X射线激发下表现良好的发光行为,主发射峰位于440nm处。

    Nd3+离子掺杂的Lu2O3透明激光陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN101333110B

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN200810040623.6

    申请日:2008-07-16

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种Nd3+离子掺杂的Lu2O3透明激光陶瓷的制备方法,属稀土金属元素光学透明陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用氨水和碳酸氢铵复合沉淀剂溶液,其两者重量配比为1∶1~3,采用滴定法,滴入硝酸镥和硝酸钕的混合溶液中,混合溶液中的Lu3+与Nd3+的摩尔质量比根据化学分子式(Lu1-xNdx)2O3,x为掺杂离子的摩尔分量,其值为0.005<x<0.1,即Lu3+∶Nd3+=(1-x)∶x。本发明方法中先得到Nd3+:Lu2O3沉淀、洗涤、烘干,在1000℃煅烧后,得到陶瓷粉体;然后采用钢模双向压制成型,再于流动的氢气氛中通过无压烧结,烧结温度为1850~1880℃,烧结时间为6~10小时;最终获得高度透明的Nd3+:Lu2O3透明激光陶瓷。

    一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN101993240A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010536133.2

    申请日:2010-11-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法,属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是:以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯(Si(C2H5O)4)为起始原料,经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物,随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成,并在该温度下保温1~10小时,最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法,在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程,保温时间为3~15分钟,得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷,再经1000℃空气气氛下(2~15小时)退火后,得到相对密度99.50%的半透明光学陶瓷,陶瓷的发光性能优良。

    Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101367526B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810200292.8

    申请日:2008-09-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种稀土Ce离子掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法,属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以气凝二氧化硅、氢氧化钠、硝酸镥、硝酸铈为原料,以尿素为沉淀剂,经水热处理后得到硅酸镥粉体的前驱体沉淀物,将该前驱体沉淀物洗涤、烘干、研磨后,置于炉中在1200—1400℃下进行煅烧处理,并保温2—4小时,然后在空气中自然冷却,最终获得Ce离子掺杂的硅酸镥多晶发光粉体。本发明方法的优点是具有较低的合成温度,与固相法相比,可降低200—300℃,另外,通过选择合适的水热处理条件和煅烧条件,可以有效控制合成的LSO粉体的粒径。

    一种Lu2O3纳米棒发光粉体的溶剂热合成方法

    公开(公告)号:CN101787279A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010117607.X

    申请日:2010-03-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种Lu2O3纳米棒的溶剂热合成方法,涉及稀土纳米材料的制备及其显微结构的调控。该方法以商业稀土氧化物(氧化镥、氧化铕、氧化钕、氧化镨、氧化铥)为原料,先将它们分别用浓硝酸溶解、稀释,配置一定浓度RE(NO3)3(RE为Eu,Tb,Nd,Pr,Tm中一种)溶液掺杂的硝酸镥(Lu(NO3)3)溶液,然后滴加氨水反应生成沉淀,将沉淀物与不同组分性质的溶剂混合后,置于密闭反应釜中于100~300℃温度条件下进行溶剂热反应,合成不同形貌的镥基前驱体产物。将前驱体粉体进一步在400~1000℃温度条件下煅烧1~3小时,可制备Lu2O3纳米棒发光粉体。本方法过程简单实用,通过调整溶剂热过程中溶剂的种类,可以方便地控制产物的形貌,获得Lu2O3纳米棒粉体。

    一种氧化锆固溶氧化钇陶瓷、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115124343A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210617317.4

    申请日:2022-06-01

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锆固溶氧化钇陶瓷、其制备方法及其应用,氧化锆‑氧化钇摩尔组分如下:氧化钇:50~95mol%,氧化锆:5~50mol%。该陶瓷材料制备方法步骤如下:按照陶瓷的摩尔百分含量称量氧化钇粉体和氧化锆粉体作为起始原料,加入无水乙醇,进行球磨混合得到浆料;再将浆料干燥处理,然后在玛瑙研钵研磨,并过筛网得到氧化钇‑氧化锆混合粉体,将混合粉体在刚模中干压成型并随后冷等静压处理,得到陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行烧结,得到氧化钇‑氧化锆陶瓷。本方法工艺简单、生产周期短、生产效率高,制备的氧化锆固溶氧化钇陶瓷相较于氧化钇陶瓷的力学性能有了明显提升,并且耐等离子体侵蚀性能优异,本发明陶瓷适合应用于制备半导体刻蚀腔室部件。

    AlON透明陶瓷的低温制备方法

    公开(公告)号:CN110272282B

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN201910570775.5

    申请日:2019-06-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种透明氮氧化铝(AlON)陶瓷的低温制备方法采用全方位行星式球磨机过对本发明制作的AlON粉体进行破碎改性,在破碎后的粉体中加入单一的MgO烧结助剂,该粉末在600~700℃下煅烧除碳后,获得具有粒径小、烧结活性高等特点的AlON粉体。随后,经过干压、冷等静压压片成型,获得致密度较高的坯体,该坯体可在低于1600~1800℃的温度下无压烧结获得80%以上光学透过率的AlON透明陶瓷。本工艺仅加入单一烧结助剂,操作简单,制备效率高,烧结温度低,成本低,易于工业化推广。

    无铅低熔点玻璃焊料、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111689691A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010463188.9

    申请日:2020-05-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种无铅低熔点玻璃焊料、其制备方法和应用,玻璃焊料按照质量百分含量计算,包括如下组分:TeO2:10-60%,V2O5:20-70%,CuO:0-50%。适用于玻璃、陶瓷及玻璃、陶瓷、金属之间电子器件封接。主要涉及汽车工业、航空航天和电子工业等产业,解决了玻璃焊料与陶瓷材料基板的热膨胀系数匹配差、封接难度大及封接温度高的问题。本发明玻璃焊料中不含铅、汞、镉、六价铬有害物质,符合欧盟RoHS指令标准,绿色环保且综合性能良好,特别适用于电子器件封接,制备方法简单,成本低。

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