-
公开(公告)号：CN101993240B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010536133.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是：以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯（Si(C2H5O)4）为起始原料，经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物，随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成，并在该温度下保温1～10小时，最终得到一次颗粒80～100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法，在较低的烧结温度(1350～1450℃下)快速完成致密化过程，保温时间为3～15分钟，得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷，再经1000℃空气气氛下（2～15小时）退火后，得到相对密度99.50％的半透明光学陶瓷，陶瓷的发光性能优良。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102020988A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010527714.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明涉及一种共沉淀法制备γ-AlON基陶瓷发光粉末的方法，属于荧光粉材料合成与制备领域。本发明方法的特点是以硝酸铝、硝酸铈、硝酸铽、尿素、纳米炭黑为原料，以PEG为分散剂，以碳酸氢铵和氨水为沉淀剂，经沉淀反应得到前驱物。将该前驱物沉淀洗涤，烘干后研磨，经在700℃氮气保护条件下处理2-4h后，再在1750℃，氮气流量0.5L/min条件下保温2-4h，在空气中自然冷却后，在700℃条件下除碳，最终获得掺杂Tb3+/Ce3+发光离子的AlON基荧光粉，颗粒尺寸在1-2μm范围内，粉体粒度均匀。组分优化后Tb3+/Ce3+离子共掺杂的AlON粉体在275nm条件激发下发光性能优良，约为单掺Tb3+AlON荧光粉体发光强度的10倍。
-
公开(公告)号：CN102557598B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210007992.1
申请日：2012-01-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的方法，属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce:Lu2SiO5陶瓷粉体，将上述粉体经干压、等静压成型后在流动的H2气氛条件下于1600-1800℃进行无压烧结获得Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。获得材料的相对密度达到理论密度的98.5％以上，在X射线激发下表现良好的发光行为，主发射峰位于440nm处。
-
公开(公告)号：CN102557598A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210007992.1
申请日：2012-01-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的方法，属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce:Lu2SiO5陶瓷粉体，将上述粉体经干压、等静压成型后在流动的H2气氛条件下于1600-1800℃进行无压烧结获得Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。获得材料的相对密度达到理论密度的98.5％以上，在X射线激发下表现良好的发光行为，主发射峰位于440nm处。
-
公开(公告)号：CN101993240A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010536133.2
申请日：2010-11-09
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是：以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯（Si(C2H5O)4）为起始原料，经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物，随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成，并在该温度下保温1~10小时，最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法，在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程，保温时间为3~15分钟，得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷，再经1000℃空气气氛下（2~15小时）退火后，得到相对密度99.50％的半透明光学陶瓷，陶瓷的发光性能优良。
-
公开(公告)号：CN102180675A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110041724.7
申请日：2011-02-22
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种共沉淀碳热还原法制备γ-AlON陶瓷粉末的方法，属于陶瓷材料粉体合成与加工领域。本发明方法的特点是以硝酸铝，尿素，纳米炭黑为原料，以PEG为分散剂，以碳酸氢铵和氨水为沉淀剂，经沉淀反应得到前驱物。将该前驱物沉淀洗涤，烘干后研磨，经在700℃氮气保护条件下处理2-4h后，再在1750℃，氮气流量0.5L/min条件下保温2-4h，在空气中自然冷却后，在700℃条件下除碳，最终获得纯相AlON粉体，颗粒尺寸在1-4μm范围内，粉体粒度均匀。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.016 seconds)
