采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN107445608B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201710573649.6

    申请日:2017-07-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法,基于化学沉淀法制备的ZnO纳米粉体为原料,低温烧结透明陶瓷方法。其特征在于以硝酸锌为锌源、碳酸氢铵为沉淀剂,室温下滴加混合后得到的沉淀物经洗涤、烘干,在600‑800℃下煅烧后得到的ZnO粉体为原料;采用放电等离子体烧结技术在压力为60‑120 MPa、温度为800‑950℃条件下保温5‑10 min条件下制备的。所获得的厚度为1 mm氧化锌透明陶瓷在600 nm波长处直线透过率达16.67%。本发明得到的氧化锌透明陶瓷结晶质量好,制备重复率高,可适于工业化生产,为光电器件制造技术领域提供适用的优质材料。

    利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法

    公开(公告)号:CN102391868B

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110272535.0

    申请日:2011-09-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的方法,属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是:采用Stöber法将正硅酸四乙酯(TEOS)在氨(NH3·H2O)和水(H2O)的混合溶液中进行水解来制备单分散SiO2球形颗粒,然后在Lu3+离子溶液中改变pH值利用液相包裹法在其表面包裹Lu(OH)3得到具有核壳结构的Lu(OH)3@SiO2复合粒子,通过高温煅烧实现LSO颗粒的原位合成,在1200℃下的煅烧条件下实现了铈掺杂的硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的合成。

    采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN107445608A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710573649.6

    申请日:2017-07-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法,基于化学沉淀法制备的ZnO纳米粉体为原料,低温烧结透明陶瓷方法。其特征在于以硝酸锌为锌源、碳酸氢铵为沉淀剂,室温下滴加混合后得到的沉淀物经洗涤、烘干,在600-800℃下煅烧后得到的ZnO粉体为原料;采用放电等离子体烧结技术在压力为60-120 MPa、温度为800-950℃条件下保温5-10 min条件下制备的。所获得的厚度为1 mm氧化锌透明陶瓷在600 nm波长处直线透过率达16.67%。本发明得到的氧化锌透明陶瓷结晶质量好,制备重复率高,可适于工业化生产,为光电器件制造技术领域提供适用的优质材料。

    利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法

    公开(公告)号:CN102391868A

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201110272535.0

    申请日:2011-09-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的方法,属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是:采用Stöber法将正硅酸四乙酯(TEOS)在氨(NH3·H2O)和水(H2O)的混合溶液中进行水解来制备单分散SiO2球形颗粒,然后在Lu3+离子溶液中改变pH值利用液相包裹法在其表面包裹Lu(OH)3得到具有核壳结构的Lu(OH)3@SiO2复合粒子,通过高温煅烧实现LSO颗粒的原位合成,在1200℃下的煅烧条件下实现了铈掺杂的硅酸镥粉体(LSO:Ce3+)的合成。

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