公开(公告)号：CN112349724A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010527845.1

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  郭判硕 ,  金灿镐 ,  姜东求

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C8/14

Abstract: 一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。

公开(公告)号：CN110400805A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910227598.0

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹敬和 ,  郭判硕 ,  金灿镐 ,  李中和

IPC: H01L27/11556

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和接触区域；堆叠结构，包括位于基底的单元阵列区域和接触区域上的多个栅电极；多个单元垂直沟道结构，穿过堆叠结构在单元阵列区域上延伸；以及接触结构，在基底的顶表面上设置在堆叠结构旁边，并且沿着从单元阵列区域朝向接触区域延伸的线设置。接触结构的位于单元阵列区域上的高度与接触结构的位于接触区域上的高度不同。

公开(公告)号：CN109712658A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811247747.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿镐 ,  尹东吉 ,  郭判硕 ,  全哄秀

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

CPC classification number: G11C14/0018 ,  G11C11/005 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器包括在基板的第一区域中的第一存储单元阵列和在基板的第二区域中的第二存储单元阵列。第一存储单元阵列包括单元串，并且每个单元串包括在垂直于基板的方向上堆叠的非易失性存储单元。第二存储单元阵列包括易失性存储单元，并且每个易失性存储单元包括选择晶体管和电容器。电容器包括：至少一个接触，与选择晶体管电连接并具有与每个单元串的第一高度相对应的第二高度；以及至少一个第二接触，被供应有接地电压，具有对应于每个单元串的第一高度的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻，并与所述至少一个第一接触电分离。