公开(公告)号：CN110689911B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910520336.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  朴乘汉 ,  金孝真 ,  安国一

IPC: G11C11/22 ,  H10B10/00 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；行解码器，其通过第一导线连接到存储器单元阵列；写入驱动器和读出放大器，其通过第二导线连接到存储器单元阵列；电压发生器，用于向行解码器供应第一电压，并向写入驱动器和读出放大器供应第二电压；和数据缓冲器，其连接到写入驱动器和读出放大器，并且在写入驱动器和读出放大器与外部设备之间传输数据。行解码器、写入驱动器和读出放大器、电压发生器和数据缓冲器中的至少一个包括用于放大电压的第一铁电电容器。

公开(公告)号：CN113571581B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN110690217B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910603188.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河承锡 ,  安国一 ,  赵槿汇 ,  金成玟

IPC: H01L27/092

公开(公告)号：CN116207100A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211283994.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李豪振 ,  朴范璡 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括在水平的第一方向上延伸的第一有源图案至第四有源图案。第二有源图案在第一方向上与第一有源图案间隔开。第三有源图案在水平的第二方向上与第一有源图案间隔开。第四有源图案在第一方向上与第三有源图案间隔开。场绝缘层围绕第一有源图案至第四有源图案中的每个的侧壁。第一多个纳米片至第四多个纳米片分别设置在第一有源图案至第四有源图案上。第一栅电极在第二方向上延伸，与第一有源图案和第三有源图案中的每个相交，并且围绕第一多个纳米片和第三多个纳米片。第二栅电极在第二方向上延伸，与第二有源图案和第四有源图案中的每个相交，并且围绕第二多个纳米片和第四多个纳米片。

公开(公告)号：CN115881818A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211196057.4

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  姜明吉 ,  金大元 ,  金洞院 ,  申在训 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的第一有源图案和在第二区域上的第二有源图案；在第一有源图案上的第一栅电极和在第二有源图案上的第二栅电极；以及穿透第一栅电极的第一切割图案和穿透第二栅电极的第二切割图案，其中第一栅电极在一个方向上测量的宽度小于第二栅电极的宽度，第一切割图案的最大宽度大于第一栅电极的所述宽度，第二切割图案的最小宽度小于第二栅电极的所述宽度。

公开(公告)号：CN115706111A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210510469.4

申请日：2022-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  金洞院 ,  赵槿汇 ,  河大元

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置可以包括：有源图案，其位于衬底上并且在第一方向上延伸；多个源极/漏极图案，其位于有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；栅电极，其位于多个源极/漏极图案之间且与有源图案交叉，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及多个沟道图案，其堆叠在有源图案上，并且被配置为将源极/漏极图案中的两个或更多个彼此连接。沟道图案可以彼此间隔开。沟道图案中的每一个可以包括第一部分和多个第二部分，第一部分位于栅电极与源极/漏极图案之间，多个第二部分连接到第一部分，并且在与由衬底的上表面限定的平面垂直的方向上与栅电极重叠。

公开(公告)号：CN114171460A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110911116.0

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  姜明吉 ,  金兑映 ,  裴金钟 ,  赵槿汇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件，包括：基板；第一纳米线至第六纳米线，在第一方向上延伸并彼此间隔开；第一栅电极至第三栅电极，在第二方向上延伸并分别在基板的第一区域至第三区域上；第一界面层，在第一栅电极与第二纳米线之间，该第一界面层具有第一厚度；第二界面层，在第三栅电极与第六纳米线之间，该第二界面层具有第二厚度。第一栅电极至第三栅电极可以分别围绕第一纳米线和第二纳米线、第三纳米线和第四纳米线以及第五纳米线和第六纳米线。第一内部间隔部可以在第一栅电极至第三栅电极中的至少一个的侧壁上。在第一方向上，第一纳米线的第一长度可以小于第三纳米线的第二长度。

公开(公告)号：CN112542454A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010731905.1

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  金洞院 ,  金旻怡 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/732

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：位于衬底中的阱区；位于所述阱区中的杂质区；位于所述杂质区上的第一有源鳍；位于所述阱区上的第二有源鳍；以及穿透所述第二有源鳍并且连接到所述阱区的连接图案。所述衬底和所述杂质区包括具有第一导电类型的杂质。所述阱区包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。所述第一有源鳍包括：在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个第一半导体图案。所述第一半导体图案和所述杂质区包括具有所述第一导电类型的杂质。

公开(公告)号：CN106549042B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201610674649.0

申请日：2016-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 董耀旗 ,  金文铉 ,  赵槿汇 ,  前田茂伸 ,  吴汉洙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：CN110690288A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910605331.0

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安国一 ,  赵槿汇 ,  河大元 ,  河承锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、衬底上的栅极结构和栅极结构上的第一导电连接组。栅极结构包括栅极间隔件和栅电极。第一导电连接组包括铁电材料层。铁电材料层的至少一部分设置在栅极间隔件的上表面之上。