公开(公告)号：CN116207100A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211283994.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李豪振 ,  朴范璡 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括在水平的第一方向上延伸的第一有源图案至第四有源图案。第二有源图案在第一方向上与第一有源图案间隔开。第三有源图案在水平的第二方向上与第一有源图案间隔开。第四有源图案在第一方向上与第三有源图案间隔开。场绝缘层围绕第一有源图案至第四有源图案中的每个的侧壁。第一多个纳米片至第四多个纳米片分别设置在第一有源图案至第四有源图案上。第一栅电极在第二方向上延伸，与第一有源图案和第三有源图案中的每个相交，并且围绕第一多个纳米片和第三多个纳米片。第二栅电极在第二方向上延伸，与第二有源图案和第四有源图案中的每个相交，并且围绕第二多个纳米片和第四多个纳米片。