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公开(公告)号：CN116913900A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310390280.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料。
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公开(公告)号：CN109545846B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201811100712.5
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。
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公开(公告)号：CN106972048B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610848720.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定第一栅电极的阈值电压。
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公开(公告)号：CN110931468A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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公开(公告)号：CN109841673A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811311350.4
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅电极，位于基底上；上覆盖图案，位于栅电极上；以及下覆盖图案，位于栅电极与上覆盖图案之间。下覆盖图案包括：第一部分，位于栅电极与上覆盖图案之间；以及多个第二部分，从第一部分延伸到上覆盖图案的对应的侧表面上。上覆盖图案覆盖第二部分中的每个的最顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972048A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610848720.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0688 , H01L29/785
Abstract: 制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定第一栅电极的阈值电压。
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公开(公告)号：CN100468736C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510059121.4
申请日：2005-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/823842 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN118555827A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410188695.4
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：下部结构；在下部结构上的电容器，该电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极；支撑第一底部电极的底部支撑图案；和提供在底部支撑图案上以支撑第一底部电极的顶部支撑图案。第一底部电极包含第一材料，第二底部电极可以包含第二材料。第二材料的功函数大于第一材料的功函数。
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公开(公告)号：CN118265307A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311806064.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置可包括衬底上的晶体管以及电连接至晶体管的电容器结构。电容器结构可包括第一电极、第一电极上的电介质层结构、和电介质层结构上的第二电极。电介质层结构可包括交替地堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。多个第一电介质层可包括铁电材料，多个第二电介质层可包括反铁电材料。内部缺陷偶极子的分布比率可在电介质层结构的厚度方向上逐渐变化。
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公开(公告)号：CN110931468B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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