公开(公告)号：CN114519978A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111170334.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 崔徳均 ,  金明镐 ,  林俊亨

IPC: G09G3/3233

Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管和二极管。第一晶体管可根据施加到第一晶体管的栅电极的电压来控制流向发光元件的驱动电流。第二晶体管电连接在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的第一电极之间。二极管的第一电极电连接到第二晶体管的第一电极。二极管的第二电极电连接到第一晶体管的栅电极。

公开(公告)号：CN114447039A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111072523.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李京垣 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  金恩贤 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 一实施例涉及的显示装置包括：第一金属层，位于基板上；第一绝缘层，位于所述第一金属层上；第一晶体管，位于所述第一绝缘层上并且包括漏电极；以及发光元件，与所述第一晶体管电连接，所述第一金属层包括具有第1‑1厚度的第1‑1部分以及具有第1‑2厚度的第1‑2部分，所述第1‑2厚度大于所述第1‑1厚度，所述漏电极与所述第一金属层电连接。

公开(公告)号：CN114388588A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111197226.1

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金恩贤 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 一种显示装置包括显示区域和其中限定有贯穿部分的功能区域。功能区域的至少一部分被显示区域围绕。显示装置包括：绝缘层，设置在基底基板上并且在功能区域中限定断开部分；像素阵列，设置在显示区域中的基底基板上；以及掩模图案，包括金属氧化物并且在平面图中沿着断开部分延伸。

公开(公告)号：CN113540163A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110313254.9

申请日：2021-03-24

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴晙晳 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  金亨俊 ,  孙尙佑 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供显示装置及其制造方法。显示装置包括：基板；第一栅电极，配置在基板上；缓冲层，配置在第一栅电极上；第一有源图案，配置在缓冲层上且与第一栅电极重叠；第二有源图案，配置在缓冲层上且与第一有源图案间隔开，且包括沟道区域及分别配置在沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域；源极图案和漏极图案，分别配置在第一有源图案的两端部上；第一绝缘图案，配置在源极图案与漏极图案之间的第一有源图案上；第二绝缘图案，配置在第二有源图案的沟道区域上；第一供氧图案，配置在第一绝缘图案上且向第一有源图案供给氧；第二供氧图案，配置在第二绝缘图案上且向第二有源图案供给氧；和第二栅电极，配置在第二供氧图案上。

公开(公告)号：CN112786664A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011239736.6

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 本申请公开了一种显示设备和制造显示设备的方法。该显示设备包括：基板；基板上的第一有源层；第一有源层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第一栅电极，第一栅电极与第一有源层重叠；第一栅电极上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第二有源层；第二绝缘层上的第一电容器电极，第一电容器电极与第一栅电极重叠；第二有源层和第一电容器电极上的第三绝缘层；第三绝缘层上的第二栅电极，第二栅电极与第二有源层重叠；和第三绝缘层上的第二电容器电极，第二电容器电极与第一栅电极重叠并且电连接到第一电容器电极。

公开(公告)号：CN112086483A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010521580.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 全景辰 ,  朴晙晳 ,  具素英 ,  金明花 ,  金亿洙 ,  金兑相 ,  金亨俊 ,  文然建 ,  朴根彻 ,  孙尙佑 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC: H01L27/32

Abstract: 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，布置在所述基底上方；显示元件，连接到所述第一薄膜晶体管；布线，连接到所述第二薄膜晶体管并且包括第一布线层和第二布线层；图案绝缘层，布置在所述第一布线层和所述第二布线层之间；平坦化层，覆盖所述布线；以及连接电极，布置在所述平坦化层上，并分别通过第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一布线层和所述第二布线层。

公开(公告)号：CN108511459A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810161546.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林俊亨 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

公开(公告)号：CN111048554B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910956618.8

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明花 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00

Abstract: 提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括基底、第一半导体元件、第二半导体元件、保护电极和发光结构。保护电极设置在第二有源层与第二源电极之间以及有源层与第二漏电极之间，并且具有暴露第二有源层的一部分的开口，发光结构设置在第一半导体元件和第二半导体元件上。

公开(公告)号：CN111063307B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN201910977252.2

申请日：2019-10-15

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 文然建 ,  朴晙皙 ,  金光淑 ,  金兑相 ,  朴根徹 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC: G09G3/3258 ,  H10K59/121

Abstract: 提供了一种有机发光显示装置以及一种驱动该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置可以包括显示面板、源极驱动电路和电压发生器。显示面板可以包括包含用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管的像素电路。驱动晶体管可以具有包括第一栅电极和第二栅电极的四个独立端子。源极驱动电路可以将数据电压提供到像素电路。电压发生器可以将独立偏置电压施加到驱动晶体管的第二栅电极，以控制驱动晶体管的驱动电压范围。

公开(公告)号：CN110838431B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201910757073.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 林俊亨 ,  金亨俊 ,  李善熙 ,  徐昇祺 ,  禹皇帝

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。