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公开(公告)号：CN105236343B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510564315.3
申请日：2015-09-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种介质隔离式压力传感器封装结构，包括底座、设于底座内的腔体、暴露在腔体内的压力传感器封装模块以及充满所述腔体的介质。所述底座设有顶部及与顶部相对的底部。所述介质隔离式压力传感器封装结构还包括与所述底部相配合以密封所述腔体的衬底，所述衬底包括正面、与正面相对的背面、贯穿所述正面与背面的导线，所述压力传感器封装模块固定在所述正面上后，所述衬底与所述底部扣合并焊接在一起，所述压力传感器封装模块与所述导线通过引线键合连接。相较于现有技术，本发明的介质隔离式压力传感器封装结构的制程简单，且能够自动化大批量生产，节省了成本。
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公开(公告)号：CN104266781A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410527030.8
申请日：2014-10-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种压阻式压力传感器及其制造方法。所述压力传感器包括基片、键合在基片正面的第一层晶圆、以及形成在第一层晶圆和基片之间的真空腔体。所述基片具有衬底、设置在衬底正面的第一绝缘层和设置在第一绝缘层正面与第一层晶圆之间的可动敏感膜层。所述衬底形成有将可动敏感膜层背面向下暴露的背腔。
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公开(公告)号：CN103297907A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210041572.5
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明属于基于硅工艺的微电子机械系统（MEMS）领域，具体涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其通过对硅基片进行正面微细加工形成网状悬空结构的背极板和上空腔，然后再于硅基片背面形成下空腔，使上空腔和下空腔连通形成背腔，从而使得背极板的图形及尺寸可以不必考虑背腔的图形及尺寸进行独立优化，可充分利用硅片正面的面积,而不必增加芯片尺寸，从而也利于进一步的调节电容式硅麦克风的声学阻尼，使整体电容式硅麦克风达到一个高性能指标，此外，又由于背极板独立设计可增加器件信噪比。综上所述，本发明具有体积小、成本低、性能高、工艺简单、可制造性强的优点。
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公开(公告)号：CN103257007A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210036199.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器介质隔离封装结构及其封装方法。所述压力传感器介质隔离封装结构包括：衬底、由柔软的低弹性模量的材料所制成的盖体、及压力传感器芯片。所述盖体与衬底共同形成一个密闭腔体以容纳所述压力传感器芯片。当待测介质的压力作用于所述盖体上时，所述盖体发生变形从而压缩密闭腔体内的气体以达到内外压力平衡。在此过程中，所述待测介质的压力被传递到压力传感器芯片的压力敏感膜上，从而达到将压力传感器芯片以及待测介质的压力进行隔离的目的。本发明是通过压缩气体来进行压力的传递，从而避免了传统的充灌硅油不锈钢封装技术中复杂的充灌硅油的工序，大大的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN103257005A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210039207.0
申请日：2012-02-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102261979B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010183674.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法，具体步骤包括：(a)提供硅片，在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅，并用RIE刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口；(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片，使得在膜结构开口处形成一定深度；(c)光刻出岛结构，并用RIE刻蚀掉岛结构上的氧化硅和氮化硅；(d)去除光刻胶后继续腐蚀或刻蚀硅片，得到所需厚度的感压薄膜；(e)用BOE腐蚀掉剩下的氧化硅和氮化硅；(f)提供键合层，并将键合层固定在硅片的正面，键合层设置与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止挡块与感压薄膜之间预留有间隙以限制感压薄膜的过度变形；还包括在感压薄膜的应力集中区制作用以连接成惠斯通电桥的若干压阻条的步骤。通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN101355828B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710044323.0
申请日：2007-07-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。
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公开(公告)号：CN101026902B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710038554.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明的微机电声学传感器的封装结构，由第一、第二基板和侧壁组成空腔，微机电声学传感器组件设于所述空腔内，所述第一基板具有与所述微机电声学传感器输出端导电连接且用作表面贴装电极的第一金属部件，所述侧壁具有与所述第一金属部件导电连接的金属通孔，所述第二基板具有与所述金属通孔导电连接且也用作表面贴装电极的第二金属部件，由此可提高表面贴装的灵活性，并可灵活安排微机电声学传感器组件，达到减小封装体积、提高器件声学性能的目的。
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公开(公告)号：CN204090150U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420449714.6
申请日：2014-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种电容式微硅麦克风及其制造方法。所述电容式微硅麦克风包括衬底、设置在衬底正面的第一绝缘支撑层、形成在所述第一绝缘支撑层上方的可动敏感层、设置在可动敏感层上方的背极板。可动敏感层包括与背极板间隔设置的振动体。所述衬底和第一绝缘支撑层形成有自衬底的背面朝正面方向凹陷以露出所述振动体的背腔。所述可动敏感层还具有若干设置在振动体周围并固定在背极板和衬底之间的锚点、连接锚点和振动体并向下暴露于背腔内的柔性梁以及连接在锚点外侧的压焊点。所述第一绝缘支撑层还包括自背腔向外继续延伸的延伸腔，所述电容式微硅麦克风还包括抗冲击结构，所述抗冲击结构向下暴露于延伸腔内且呈悬空状设置于衬底的正面上方。
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公开(公告)号：CN204085748U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420580179.8
申请日：2014-10-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种压阻式压力传感器，其包括基片、键合在基片正面的第一层晶圆、以及形成在第一层晶圆和基片之间的真空腔体。所述基片具有衬底、设置在衬底正面的第一绝缘层和设置在第一绝缘层正面与第一层晶圆之间的可动敏感膜层。所述衬底形成有将可动敏感膜层背面向下暴露的背腔。
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