公开(公告)号：CN101939830A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104708.9

申请日：2009-02-09

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 简·雄斯基 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

Abstract: 本发明涉及一种具有分立栅极的FinFET以及一种制造所述FinFET的方法。第一栅电极与第二栅电极之间的介电栅极分离层在从第一栅极层指向第二栅极层的方向上具有比鳍在鳍的相反横向面之间的横向延伸长度小的延伸长度。该结构与工艺方法相对应，所述工艺方法从覆盖有连续第一栅极层的基本FinFET结构开始，进行至通过至栅极层的接触开口来去除第一栅极层和第一栅极隔离层的一部分。随后，制造同时形成栅极分离层的替代栅极隔离层，然后利用替换栅极层和金属填充物来填充通道。

公开(公告)号：CN101536153A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041125.7

申请日：2007-10-25

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 赫尔本·多恩博斯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28132 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造具有多个材料的FET栅极的方法，包括沉积虚设区域(8)，其后通过保形沉积每个金属层构成的一个层且其后进行各向异性的回蚀以留下虚设区域的侧面(10)上的金属层从而在栅极电介质(6)上形成多个金属层(16，18，20)。其后，去除虚设区域以留下金属层(16，18，20)作为栅极电介质(6)上的栅极。

公开(公告)号：CN100505185C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200580029431.X

申请日：2005-08-10

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 拉杜·苏尔代亚努 ,  埃尔温·海曾 ,  迈克尔·A·A·因赞特 ,  雷蒙德·J·E·许廷

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有双栅场效应晶体管的半导体器件(10)的方法，在所述方法中，半导体材料的半导体主体(1)被设置在半导体器件的表面，所述半导体主体包括：具有第一导电型的源极区(2)和漏极区(3)；位于源极区(2)与漏极区(3)之间、具有与第一导电型相反的第二导电型的沟道区(4)；通过沟道区(4)上的第一栅极电介质(6)与半导体主体表面隔开的第一栅极区(5)；位于第一栅极区(5)对面、在半导体主体(1)的相对表面的凹槽(20)内形成的第二栅极区(7)，第二栅极区(7)通过第二栅极电介质(8)与沟道区(4)隔开，其中通过沟道区(4)掺杂的局部变化(9)以及执行从半导体主体(1)的相对表面开始的蚀刻步骤来形成凹槽(20)。

公开(公告)号：CN101427321A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014549.4

申请日：2007-04-19

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 兰尼克·K·M·NG ,  赫尔本·多图博斯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: G11C11/412

CPC classification number: G11C11/412 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种静态随机存取存储器装置。SRAM存储器装置包括耦合在第一节点(A)和位线条(BLB)之间的第一门FET(T6)。第二门FET(T1)耦合在第二节点(B)和位线(BL)之间。第二节点(B)与第一门FET(T6)耦合，并且根据在第二节点(B)处的电压(VB)切换第一门FET(T6)。第一节点(A)与第二门FET(T1)耦合。根据在第一节点(A)处的电压(VA)切换第二门FET(T1)。

公开(公告)号：CN101385150A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005193.8

申请日：2007-02-02

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 马克·范达尔 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7856

Abstract: 本发明提供一种双栅极FinFET及其制造方法。所述FinFET包括鳍状物(20)的相邻各个边的第一和第二栅极(72，74)，至少一部分第一栅极面向由多晶硅形成的鳍状物，并且至少一部分第二栅极面向金属硅化物形成的鳍状物。两个栅极的不同成分提供各个不同的功函数以减小短沟道效应。