公开(公告)号：CN101490822A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025874.0

申请日：2007-07-09

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 简·雄斯基 ,  赫尔本·多图博斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 一种FinFET及其制造方法。本发明方法提供了用于制造具有分隔栅极的FinFET的好方法。该方法与大范围的介电材料和栅极电极材料兼容，只需栅极电极材料可以共形沉积。在鳍(4)每侧提供至少一直立结构(或“伪鳍”)(40)在本地提高了栅极电极材料层(70)厚度。具体地，由于每个直立结构(40)与鳍(4)相应侧间最短距离依本发明设置为小于共形层的两倍，跨过每个直立结构(40)和鳍(4)之间距离的栅极电极材料层(70)厚度相对于衬底(2)平面区域上的栅极电极材料层增加了。因此在去除鳍(4)上覆盖的栅极电极材料(70)的各向异性蚀刻后，直立结构和鳍间仍存留一些材料。因此形成了更大的栅极电极材料区域以用作栅极接触垫。

公开(公告)号：CN101490822B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200780025874.0

申请日：2007-07-09

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 简·雄斯基 ,  赫尔本·多图博斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 一种FinFET及其制造方法。本发明方法提供了用于制造具有分隔栅极的FinFET的好方法。该方法与大范围的介电材料和栅极电极材料兼容，只需栅极电极材料可以共形沉积。在鳍(4)每侧提供至少一直立结构(或“伪鳍”)(40)在本地提高了栅极电极材料层(70)厚度。具体地，由于每个直立结构(40)与鳍(4)相应侧间最短距离依本发明设置为小于共形层的两倍，跨过每个直立结构(40)和鳍(4)之间距离的栅极电极材料层(70)厚度相对于衬底(2)平面区域上的栅极电极材料层增加了。因此在去除鳍(4)上覆盖的栅极电极材料(70)的各向异性蚀刻后，直立结构和鳍间仍存留一些材料。因此形成了更大的栅极电极材料区域以用作栅极接触垫。

公开(公告)号：CN101427321A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014549.4

申请日：2007-04-19

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 兰尼克·K·M·NG ,  赫尔本·多图博斯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: G11C11/412

CPC classification number: G11C11/412 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种静态随机存取存储器装置。SRAM存储器装置包括耦合在第一节点(A)和位线条(BLB)之间的第一门FET(T6)。第二门FET(T1)耦合在第二节点(B)和位线(BL)之间。第二节点(B)与第一门FET(T6)耦合，并且根据在第二节点(B)处的电压(VB)切换第一门FET(T6)。第一节点(A)与第二门FET(T1)耦合。根据在第一节点(A)处的电压(VA)切换第二门FET(T1)。