公开(公告)号：CN115145056B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210956858.X

申请日：2022-08-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张振 ,  孙楷京 ,  杨龙亮 ,  范俊凤 ,  马勇 ,  潘武 ,  冉佳 ,  黄文 ,  郝宏刚 ,  李国军

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，涉及太赫兹波谐振点调制器领域，包括：谐振结构，谐振结构包括双“T”型谐振结构以及双“E”型谐振结构，其中，双“T”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板上形成用于谐振的第一控制区域，双“E”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板形成用于谐振的第二控制区域；调制开关，调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数；其中，介质基板的表面附着有超材料结构层，介质基板、双“T”型谐振结构、双“E”型谐振结构以及调制开关均附着于超材料结构层。本发明可以同时产生两个谐振点，极大提高了太赫兹调制器多工作模式的丰富度，调制效果好。

公开(公告)号：CN115911878A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211682252.8

申请日：2022-12-26

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 冉佳 ,  王文昌 ,  张振 ,  尹波 ,  郝宏刚 ,  谭菲

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明涉及可重构超表面技术领域，公开了一种Ku波段的可重构高增益惠更斯超表面，包括：介质层；上工字型金属结构，包括第一上横杆、第一下横杆以及连接所述第一上横杆、第一下横杆的第一竖杆，所述第一竖杆内设有第一二极管；下工字型金属结构，包括第二上横杆、第二下横杆以及连接所述第二上横杆、第二下横杆的第二竖杆，所述第二竖杆内设有第二二极管；所述上工字型金属结构和下工字型金属结构分别设置在所述介质层的两侧，且上工字型金属结构和下工字型金属结构以所述介质层的中点呈中心对称。本发明一种Ku波段可重构高增益惠更斯超表面，采用两中心对称的工字型金属结构实现惠更斯谐振，透射性能较强。

公开(公告)号：CN112436293B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202011331523.6

申请日：2020-11-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 冉佳 ,  彭东亮 ,  李森茂 ,  李阳 ,  张思文

IPC: H01Q17/00 ,  H01Q15/00 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的极化依赖性可调的太赫兹波吸波器，涉及太赫兹吸波器技术领域，由顶部至底部依次设置的金属结构单元层、介质层和金属层，所述三层结构紧密贴合，所述介质层铺设于所述金属层上表面，所述金属结构单元层铺设于所述介质层上表面，所述介质层还铺设有线状石墨烯，所述金属结构单元层包括四种规格相同的H型金属板，所述金属反射板材料为金，所述介质层材料为聚酰亚胺，通过金属结构单元层以及线状石墨烯谐振单元的整体结构尺寸设计，太赫兹超表面上加载单层石墨烯，通过调节石墨烯的化学势来控制超表面对TE和TM波的吸收率，使太赫兹吸波器获得在太赫兹波段对TE波的良好吸收率，同时对TM波的吸收率实现电压调控。

公开(公告)号：CN114465010A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210006632.3

申请日：2022-01-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈涛 ,  冉佳 ,  郝宏刚

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q3/28

Abstract: 本发明请求保护一种基于电磁感应透明现象的电控超表面太赫兹调制器，由若干个调制单元组成，其中每个调制单元包括：包括介质板、平面隔离层、粗线金箔带、细线金箔带，开口方环形金箔带，T形金箔带和高电子迁移率晶体管。平面隔离层附着于介质板上表面，将介质板和金箔带隔开，金箔带覆于平面隔离层上，粗线金箔带作为外接电源的馈电线，开口方环形金箔带构成作为产生电磁感应透明现像的明模振子，T形金箔带和高电子迁移率晶体管构成长直线作为产生电磁感应透明现象的可调振子，高电子迁移率晶体管由细线金箔带作为栅极控制开关；通过改变施加在栅极上的偏压值来改变电磁学响应，该结构具有调制深度高、调制速率快、可集成、调控简单等优点。

公开(公告)号：CN114448357A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210101928.3

申请日：2022-01-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄文 ,  刘江 ,  尹波 ,  冉佳

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/48 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

Abstract: 本发明涉及一种基于双螺旋缺陷地结构的宽带高效率J/F类功率放大器，属于射频微波技术领域。该功率放大器包括介质基板，正面设置有输入匹配电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、二次谐波抑制电路、输出匹配电路和T型模块；背面为接地面，设置有双螺旋缺陷地单元结构；输入匹配电路的一端与功率放大管栅极连接，另一端依次通过栅极偏置电路、T型模块和漏极偏置电路与功率放大管漏极连接；输出匹配电路端与二次谐波抑制电路连接。本发明放大器既具有宽带性能又具有较高输出效率。

公开(公告)号：CN113394647A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110712943.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张振 ,  刘艺 ,  陈燕萍 ,  张喆林 ,  张嘉阳 ,  马勇 ,  潘武 ,  肖惠云 ,  冉佳 ,  黄文 ,  郝宏刚 ,  李国军

IPC: H01S1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于线偏压位置的太赫兹波相位调控系统，激光发生装置发出入射激光脉冲，入射激光脉冲经过脉宽和能量调节装置进行脉冲调节和能量调节后分成两束激光：一束作为探测激光经过探测激光路的时间延迟并聚焦到达太赫兹探测器；一束作为泵浦激光进入具有线高压装置的泵浦激光路后形成等离子体通道，具有线高压装置的泵浦激光路对等离子体通道不同位置加载电场，等离子体通道辐射出太赫兹波经聚焦后到达太赫兹探测器；通过线高压装置对等离子体通道不同位置加载电场，从而对太赫兹波相位进行调控，制作工艺简单，成本较低，在太赫兹波的辐射源头进行调控，对太赫兹波相位调控具精准，调控效果较好。