-
公开(公告)号：CN112255820A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011513541.6
申请日：2020-12-21
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B30/27
Abstract: 本发明提供一种裸眼三维显示装置，其包括：显示部件，其包括由多个显示单元阵列排布而成的显示单元阵列；视角调控器件，其包括由多个谐衍射透镜子单元阵列排布而成的谐衍射透镜阵列，其中每个谐衍射透镜子单元与一个显示单元相对应，所述谐衍射透镜阵列的谐衍射透镜子单元被分成多组，同一组谐衍射透镜子单元射出的光线会汇聚成同一个视点，不同组谐衍射透镜子单元射出的光线会汇聚成的不同视点。这样，不仅可以实现在不同的视角下观看到的不同的三维显示效果，还可以提高光的利用效率。
-
公开(公告)号：CN107908086B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201711122043.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种基片的预对准方法，该基片的预对准方法通过在基片上投影一幅特征图像和测距图像来确定边缘上边缘点的坐标，并根据边缘点坐标来计算基片的倾斜角度和基片中心坐标，最后通过移动工件台来使基片中心坐标和成像中心坐标对准，实现快速高效高精度的预对准工作。与现有技术相比该基片的预对准方法有着无需增加现有直写设备硬件成本、步骤简单、预对准精度高的优势。
-
公开(公告)号：CN112132948A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910490271.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种图像处理方法，该方法的具体步骤包括：S1：建成灰度模型图；S2：计算灰度模型图X方向的扫描线的集合；S3：计算X轴扫描线集合中每一条扫描线与灰度模型图的所有交点的坐标，并分组；S4：计算扫描线集合中相应区间的每一条扫描线的每一组交点内的所有像素点的物理高度；S5：转换各区间所有像素点的灰度值得到灰度位图。本发明还公开一种图像处理装置，设有上述图像处理方法；本发明还公开本发明还公开一种光刻系统，包括执行上述图像处理方法；本发明还公开一种计算机可读存储介质，包括储存上述图像处理方法。通过计算图像中每个像素点的灰度值，可以实现任一幅面具有立体浮雕效果的结构的图像处理。
-
公开(公告)号：CN111290217A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811489966.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种用于光刻基片的承载台，包括基片承载部件，基片承载部件包括至少一个用于放置基片的放置区，放置区一侧设有至少两个标识放置结构，用于放置对位标识元件。本发明还公开一种光刻机，包括上述承载台、用于连接该承载台的工作台，工作台包括固定平台、调节转台，调节转台底部连接固定平台，调节转台顶部连接上述用于光刻基片的承载台，用于调节上述承载台上基片的角度。本发明还公开一种基片光刻方法，通过上述光刻机光刻放置在上述承载台上基片的正方两面。通过标识放置结构，使带有标识的元件可以重复使用，无需在每块待刻的基片上写入对位标识，简化了制作流程，节约了成本。
-
公开(公告)号：CN113269842B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010096447.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种图形光栅化方法、装置及存储介质，属于图像处理技术领域，该方法包括：获取待光栅化目标；确定待光栅化目标中重复个数大于或等于预设个数的目标图形；对目标图形进行光栅化处理得到光栅化图形；对待光栅化目标进行裁切得到多个裁切区域；对于每个裁切区域，在裁切区域包括目标图形时读取目标图形对应的光栅化图形；可以解决对重复的目标图形均进行一次光栅化会浪费电子设备的资源，降低图形光栅化效率的问题；解决同一文件中相同图形一致性问题，使得线宽一致性得到了保证。由于对于重复的目标图形只需要进行一次光栅化过程，后续只需要调用光栅化图形即可，因此可以提高光栅化效率，节省设备资源。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN114913559A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110179852.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06V40/13 , G06V10/147 , G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列成像组件的生产装置及制备方法，该微透镜阵列成像组件的生产装置通过传输系统传输基底，使基底依次通过出胶系统、压印系统、喷涂系统、显影系统和清洁系统，以依次完成在基底上涂覆胶水、在基底上压印出微透镜阵列、在基底正面和背面涂覆黑色光阻材料和挡光材料并在基底背面进行曝光、向基底正面喷涂显影剂以及对基底进行清洁，从而制备得到高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
-
公开(公告)号：CN112799286B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115238.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
-
公开(公告)号：CN111427237B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
-
公开(公告)号：CN112684677B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110270751.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法。所述制备方法包括：提供三维模型图；将所述三维模型图在高度方向上进行划分，获得至少一个高度区间；将三维模型图在平面上进行投影得到映射关系，映射关系包括三维模型图上每个点对应在平面上的坐标，三维模型图上每个点的高度对应高度区间里的高度值，根据所述映射关系，将映射关系与曝光剂量进行对应，基于所述曝光剂量进行光刻。这样，可以得到任意三维微纳形貌结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.029 seconds)
