公开(公告)号：CN209298118U

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201821912223.5

申请日：2018-11-20

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张一平 ,  王子欧 ,  张立军 ,  朱灿焰

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本实用新型公开了一种阻型存储器结构，包括MOSFET管、复数个阻型存储单元和复数条对应阻型存储单元的位线；所述MOSFET管的源极连接到源极线，栅极连接到字线，漏极分别连接到各阻型存储单元的一端，各阻型存储单元的另一端连接到其对应的位线。本实用新型能够减小阻型存储器的面积，提高阻型存储器的存储密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208938658U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201821912217.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张一平 ,  王子欧 ,  张立军 ,  朱灿焰

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本实用新型公开了一种阻型存储器写入验证电路，包括运算放大器、晶体管MP1、晶体管MN1以及电流电压转换电路；所述运算放大器的正相输入端连接输入参考电压，所述运算放大器的反相输入端连接到阻型存储器的写入端，所述运算放大器的输出端连接到晶体管MN1的栅极，所述晶体管MN1的漏极连接到阻型存储器的写入端，所述晶体管MN1的源极连接到晶体管MP1的漏极，所述晶体管MP1的源极连接到电源端，所述晶体管MP1的漏极和栅极均连接到电流电压转换电路的输入端。本实用新型通过优化写入验证，提高了阻型存储器的写入速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利