形成多层互连结构方法、电路板制造方法及制造器件方法

    公开(公告)号:CN1327481C

    公开(公告)日:2007-07-18

    申请号:CN200410062828.6

    申请日:2004-06-25

    Abstract: 公开了一种形成多层互连结构的方法,经由绝缘层叠加第一导电层和第二导电层,并通过在所述绝缘层中形成的触孔,连接所述第一导电层和所述第二导电层,其特征在于:所述方法包括步骤:在衬底上形成第一导电层;在第一导电层上形成具有触孔的绝缘层;利用液滴排放装置供给液体接触材料,并通过烘焙固化所述触孔内的液体接触材料,填充具有导电材料的触孔,在所述触孔内形成导电接触件;以及经由导电接触件电连接形成第二导电层,形成具有所述触孔的绝缘层,包括:在第一导电层上的预定触孔形成区中形成掩模;在除掩模之外的第一导电层上形成绝缘层;以及移除掩模以在绝缘层中形成用作触孔的通孔。

    薄膜晶体管的制造方法、电光学装置和电子仪器

    公开(公告)号:CN1719584A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510076107.5

    申请日:2005-06-08

    Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法,包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法,其中半导体膜薄膜的形成方法包括:在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序,而栅电极的形成方法包括:配置含导电性材料的液滴的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。

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