表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102545822B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201110397440.1

    申请日:2011-12-02

    Abstract: 本发明提供表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备,能够实现良好频率温度特性,并抑制频率的波动。用于解决上述课题的表面声波谐振器的特征在于,具有:欧拉角为(117°≤θ≤142°,42.79°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板;以及IDT,其设置所述石英基板上,包含多个电极指,激励出阻带上端模式的表面声波,在平面视图中,在所述电极指之间的位置上配置有电极指间槽,该电极指间槽是所述石英基板的凹槽,在设配置在所述电极指间槽之间的所述石英基板的凸部的线占有率为ηg、设配置在所述凸部上的所述电极指的线占有率为ηe、设所述IDT的有效线占有率ηeff为所述线占有率ηg和所述线占有率ηe的相加平均的情况下,满足ηg>ηe并且0.59<ηeff<0.73的关系。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403975B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201110261764.2

    申请日:2011-08-29

    Inventor: 山中国人

    CPC classification number: H03H9/02551 H03H9/02661 H03H9/02834 H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。该声表面波(SAW)器件在工作温度范围内同时实现了优异的频率温度特性和较高的Q值。SAW器件(11)具有:IDT(13),其在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,42.79°≤|ψ|≤49.57°)的水晶基板(12)的主面上激振阻带上限模式的SAW;一对反射器(14),其被配置在IDT(13)的两侧;电极指间槽(17),其凹设在IDT的电极指(15a、15b)之间;导体条间槽(18),其凹设在反射器的导体条(14a)之间,其中,SAW的波长λ与电极指间槽的深度G之间满足0.01λ≤G,IDT的线占有率η与电极指间槽的深度G满足预定的关系式,IDT的线占有率η与反射器的线占有率ηr具有η<ηr的关系。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403980B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201110264421.1

    申请日:2011-08-31

    CPC classification number: H03H9/02834 H03H9/02551 H03H9/02661 H03H9/14538

    Abstract: 本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。在具有于工作温度范围内具有极大值和极小值、和两者之间的拐点的、曲线的频率温度特性的SAW器件中,抑制由于制造误差而可能在个体之间产生的频率温度特性的偏差及劣化。SAW器件(1)在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,|ψ|≠90°×n(但是,n=0,1,2,3))的水晶基板(2)的主面上,具有:IDT(3),其激振阻带上限模式的瑞利波(波长:λ);电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指之间,其中,通过使电极指间槽的深度G为0.01λ≤G≤0.07λ,并使电极指膜厚H和IDT线占有率η满足预定的关系,从而频率温度特性常时在工作温度范围内,于极大值和极小值之间具有拐点,并且抑制由于IDT线占有率η的制造误差而导致的拐点温度的变动。

    表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102545822A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110397440.1

    申请日:2011-12-02

    Abstract: 本发明提供表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备,能够实现良好频率温度特性,并抑制频率的波动。用于解决上述课题的表面声波谐振器的特征在于,具有:欧拉角为(117°≤θ≤142°,42.79°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板;以及IDT,其设置所述石英基板上,包含多个电极指,激励出阻带上端模式的表面声波,在平面视图中,在所述电极指之间的位置上配置有电极指间槽,该电极指间槽是所述石英基板的凹槽,在设配置在所述电极指间槽之间的所述石英基板的凸部的线占有率为ηg、设配置在所述凸部上的所述电极指的线占有率为ηe、设所述IDT的有效线占有率ηeff为所述线占有率ηg和所述线占有率ηe的相加平均的情况下,满足ηg>ηe并且0.59<ηeff<0.73的关系。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403978A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110247975.0

    申请日:2011-08-26

    Inventor: 山中国人

    CPC classification number: H03H9/02551 H03H9/0542 H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供一种声表面波(SAW)器件、电子设备以及传感器装置。该SAW器件能够在动作温度范围内同时实现优异的频率温度特性和较高Q值。SAW器件(11)具有:IDT(13),其在欧拉角(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,42.79°≤|ψ|≤49.57°)的水晶基板12的主面上,激振阻带上限模式的SAW;一对反射器(14),其被配置在IDT(13)的两侧;电极指间槽(17),其凹设在IDT的电极指(15a、15b)之间;导体条间槽(18),其凹设在反射器的导体条(14a)之间。与电极指以及导体条正交的第1方向(X′轴)和水晶基板的电轴(X轴)以角度ψ交叉,并且IDT以及反射器的至少一部分被配置在,以1.0°≤α≤2.75°的角度α与第1方向交叉的第2方向上。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403975A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110261764.2

    申请日:2011-08-29

    Inventor: 山中国人

    CPC classification number: H03H9/02551 H03H9/02661 H03H9/02834 H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。该声表面波(SAW)器件在工作温度范围内同时实现了优异的频率温度特性和较高的Q值。SAW器件(11)具有:IDT(13),其在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,42.79°≤|ψ|≤49.57°)的水晶基板(12)的主面上激振阻带上限模式的SAW;一对反射器(14),其被配置在IDT(13)的两侧;电极指间槽(17),其凹设在IDT的电极指(15a、15b)之间;导体条间槽(18),其凹设在反射器的导体条(14a)之间,其中,SAW的波长λ与电极指间槽的深度G之间满足0.01λ≤G,IDT的线占有率η与电极指间槽的深度G满足预定的关系式,IDT的线占有率η与反射器的线占有率ηr具有η<ηr的关系。

    表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备

    公开(公告)号:CN202353522U

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201120313638.2

    申请日:2011-08-24

    Abstract: 本实用新型提供表面声波谐振器、表面声波振荡器及电子设备,能够实现良好的频率温度特性。用于解决上述课题的SAW谐振器(10)具有:IDT(12),其利用欧拉角为(-1°≤φ≤1°、117°≤θ≤142°、42.79°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板(30),并激励出阻带上端模式的SAW;和槽(32),其是使位于构成IDT(12)的电极指(18)之间的基板凹陷而形成的,SAW谐振器(10)的特征在于,在设SAW的波长为λ、设槽(13)的深度为G的情况下,满足下式的关系:0.01λ≤G,并且在设IDT(12)的线占用率为η的情况下,槽(32)的深度G与所述线占用率η满足下式的关系:并且,所述IDT中的电极指的对数N处于下式所示的范围内:160≤N≤220。

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