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公开(公告)号：CN114008754A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080041780.8
申请日：2020-03-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于计算形成于半导体装置晶片上的至少第一层、第二层与第三层之间的偏移的多层莫尔目标，其包含周期性结构堆叠的至少一个群组，所述至少一个群组各自包含：第一堆叠，其包含第一堆叠第一周期性结构(S1P1)，所述S1P1沿着第一轴具有S1P1间距；第二堆叠，其包含第二堆叠第一周期性结构(S2P1)，所述S2P1沿着第二轴具有S2P1间距；及第三堆叠，其包含第三堆叠第一周期性结构(S3P1)，所述S3P1沿着第三轴具有S3P1间距；所述第一轴平行于x轴或y轴，且所述堆叠中的至少一者包含第二周期性结构，所述第二周期性结构沿着至少一个第四轴具有第二周期性结构间距，所述至少一个第四轴平行于所述第一轴且与所述轴中的一者同轴。
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公开(公告)号：CN105830069B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201480067806.0
申请日：2014-12-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供用于根据外在要求或内在发展及验证需要，分析目标、工艺及计量配置对广泛范围的参数的灵敏度的系统及方法。系统包括以下元件。输入模块经布置以接收与目标、目标计量条件及生产工艺相关的参数，以产生目标数据。计量模拟单元经布置以从所述目标数据模拟目标的计量测量且产生量化所述模拟目标测量的多个度量。灵敏度分析模块经布置以导出所述度量对所述参数的函数相依性且关于所述所导出的函数相依性界定所述参数的所要不确定性。最后，目标优化模块经布置以关于所述模拟目标测量对目标及目标计量条件进行排名。
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公开(公告)号：CN111542784A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085027.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： F·约埃尔 , M·吉诺乌克 , A·斯维泽尔 , V·莱温斯基 , I·塔尔西斯-沙皮尔
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭示计量目标、其设计方法及测量方法，所述目标具备相对于光刻工具的正交产生轴X及Y倾斜的周期性结构，从而实现具有对角线(倾斜(oblique/tilted))元件的装置(例如DRAM装置)的更准确叠加测量。一或多个倾斜周期性结构可用于提供关于一或多个层的一维或二维信号，从而可能提供针对应用到一个层的多个步骤的叠加测量。所述倾斜周期性结构可用于修改当前计量目标设计(例如，成像目标及/或散射测量目标)或设计新的目标，且可分别调整测量算法以从所述倾斜周期性结构导出信号及/或提供其预处理图像。所揭示的目标是过程兼容的且更准确地反映关于各种过程步骤的装置叠加。
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公开(公告)号：CN106796900A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053714.1
申请日：2015-10-02
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： M·E·阿德尔 , I·塔尔西斯-沙皮尔 , J(石铭)·魏 , M·吉诺乌克
Abstract: 本发明提供计量目标设计方法及验证目标。方法包括：使用与经设计计量目标有关的OCD数据作为目标模型与晶片上的对应实际目标之间的差异的估计；及调整计量目标设计模型以补偿所述经估计差异。专属验证目标可包括叠加目标特征且对尺寸进行优化以可由OCD传感器测量，以实现对于由生产工艺变化所引起的不准确度的补偿。方法还包括提供经启用的较高保真度计量目标设计模型及计量测量的最终较高准确度的对制造商与计量商家之间的工作流程的修改。
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