一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法

    公开(公告)号:CN109248994B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201810943565.1

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法。该装置和方法至少包括熔炼炉、冷却辊、和用以将所述熔炼炉形成的熔液供给到所述冷却辊的供给装置,所述供给装置具有进液口和出液口,所述进液口至所述出液口之间设置出液通道,所述出液通道上设置一挡板,并形成一蓄液池。其通过在供给装置的出液通道的内壁上设置一挡板,起到蓄液、蓄温的作用,从而获得一致性好的薄带。

    高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110993234A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911348739.0

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明公开了高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法。高Cu高Al的钕铁硼磁体包含:29.5~33.5%的R、0.985%以上的B、0.50%以上的Al、0.35%以上的Cu、1%以上的RH和0.1~0.4%的高熔点元素N和Fe;其中,所述百分比为所述元素占元素总量的质量百分比;其中,所述元素含量的质量百分比需满足如下关系:(1)1<RH<0.11R<3.54B;(2)0.12RH<Al。本发明通过联合添加一定比例的Al、RH、以及高熔点金属元素,能够有效解决高Cu磁体强度不足的问题,同时保证了磁体材料的磁学性能。

    含有Tb和Hf的R-Fe-B系烧结磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN109192426B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201811029506.X

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种含有Tb和Hf的R‑Fe‑B系烧结磁体及其制备方法,所述烧结磁体的表面区域和内部区域分布有包含芯部和外壳部的R2Fe14B型主相晶粒,所述外壳部的Tb含量高于所述芯部中的Tb含量,所述烧结磁体的结晶晶界中具有Hf含量为0.1wt%以上、3.0wt%以下的富Hf区域,所述富Hf区域在所述结晶晶界中呈均一分散的分布,并占所述烧结磁体的5.0vol%‑11.0vol%。该烧结磁体具有较好高温稳定性能及常温的磁性能,制备工艺方便可控,设备简单,易于工业化生产。

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