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公开(公告)号：CN118198692A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410304844.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种可重构滤波功分器，主要解决现有可重构滤波功分器实现结构复杂，电路尺寸大的问题。该功分器由第一可重构谐振器、第二可重构谐振器和第三可重构谐振器构成。所述第一可重构谐振器通过50Ω微带线与第一输入/输出端口相连，所述第二可重构谐振器通过50Ω微带线与第二输出/输入端口相连，所述第三可重构谐振器通过50Ω微带线与第三输出/输入端口相连；所述第一可重构谐振器自身关于中心对称轴对称，所述第二可重构谐振器与第三可重构谐振器互相关于中心对称轴对称。本发明所设计的可重构滤波功分器由于引入了缺陷地结构，该谐振器在频率可重构范围内可以实现外品质因数Qe的小范围变动，从而可以省去传统可重构谐振器所需要的外品质因数调节结构，降低设计整体的复杂程度。
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公开(公告)号：CN117913485A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410232068.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交叉耦合的双层滤波器结构，包括自上而下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和第四金属层；其中，所述第一金属层为馈线层，包括源馈线和负载馈线；所述第二金属层和第三金属层为谐振器层，包括两个双层谐振器；两个所述双层谐振器结构相同，包括位于第二金属层的上层金属和位于第三金属层的下层金属，所述上层金属和下层金属通过过孔连接，两个所述双层谐振器通过交叉构成耦合；所述第四金属层为接地层。本发明在应用时能够在提高滤波器选择度的同时很好的缩小滤波器的尺寸。
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公开(公告)号：CN112953399B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110108881.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种高回退效率功率放大器，包括：多个功率放大器子单元，所述功率放大器子单元包括第一电容，每个所述第一电容的第一端均与输出端电连接，所述第一电容的第二端连接一堆叠式反相器电路，所述堆叠式反相器电路在所述功率放大器子单元关闭时，控制所述第一电容的第二端浮空。当堆叠式反相器电路中包含PMOS管和NMOS管，功率放大器子单元工作时，堆叠式反相器电路导通，控制第一电容的第二端在VDD和GND之间切换。当功率放大器子单元关闭时，堆叠式反相器电路截止，呈现高阻状态，使得第一电容的第二端浮空，进而提高了回退效率。
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公开(公告)号：CN112152579B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202011036651.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本申请实施例公开了一种无反射放大器，其特征在于，所述无反射放大器为单端或差分无反射放大器，所述无反射放大器包括高频信号吸收网络、低频信号吸收网络和通带信号放大器；所述通带信号为放大器依设计所需放大的信号；所述高频信号吸收网络用于吸收输入信号中的高频信号，所述高频信号为信号频率高于所述通带信号的输入信号；所述低频信号吸收网络用于吸收输入信号中的低频信号，所述低频输入信号为信号频率低于所述通带信号的输入信号。采用本申请实施例提供的方案可以实现放大器的宽频无反射设计，以及无反射放大器的小型化设计。
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公开(公告)号：CN116111955A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310082128.6
申请日：2023-02-08
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本申请实施例公开了一种低相位噪声多核振荡器、芯片及设备，n对P型交叉晶体管对和N型交叉晶体管对，第一电容CD、第二电容CC、互相耦合的电感均为2n个、电阻网络，第一电容CD连接在交叉晶体管的两端，第二电容CC连接在N型交叉晶体管对和P型交叉晶体管对之间，第一组n个电感与另一组n个电感交叉耦合在一起，每个电感两端连接一个N型晶体管与一个P型晶体管，每个电感中心抽头通过电阻网络相连接。采用差分电容控制共模以及差模谐振频率，避免单端电容对共模以及差模品质因数的恶化。电感之间的磁性耦合对共模状态不起作用，从而不会恶化共模电感品质因数。在相同的电容比值的情况下，电感的共模以及差模的品质因数都有所提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115800222A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211621637.3
申请日：2022-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压控可变电阻的输入输出端口ESD保护电路，包括二极管Dp1、二极管Dn1、二极管Dp2、二极管Dn2、晶体管Mp2、晶体管Mn2、可变电阻Rv1和可变电阻Rv2，所述可变电阻Rv1的一端连接输入信号VIN、二极管Dp1的阳极和二极管Dn1的阴极，可变电阻Rv2的一端连接输出信号VOUT、晶体管Mp2的漏极和晶体管Mn2的漏极，本发明采用压控可变电阻替代传统方案的固定电阻。当ESD冲击到来时，隔离电阻受到检测电路的控制，增大电阻值；当电路正常工作时(正常传输信号时)，隔离电阻值减小，避免对信号完整性造成影响。本发明中，压控可变电阻与电源钳位结构可共用检测电路的控制信号，ESD冲击来临时，同时触发压控可变电阻和电源钳位结构，形成快速泄放电流的通路。
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公开(公告)号：CN111276462B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010105118.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本申请实施例公开了一种片上电容器及通信系统，所述片上电容器包括外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件互不相连，所述外圈堆叠金属组件用于将所述内圈堆叠金属组件屏蔽，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件分别为所述片上电容器的两个电极。采用本申请实施例所提供的技术方案，可以在常规集成电路生产工艺下实现高品质因数的片上电容器，且降低相邻电容器之间的耦合干扰。
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公开(公告)号：CN112968670B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110133881.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种小型化离散耦合多核振荡器，主要解决现有技术难以实现多核集成、难以引入波形倍增，波形整形等振荡器等高性能技术且芯片尺寸较大的问题。该多核振荡器由多个LC振荡器耦合相连而成，所述LC振荡器由电感L、电容C以及有源管构成；每个电感连接的两个有源负阻之间间隔着一个有源负阻。每个电感可视为两段，一段与前一个电感相耦合，一段与后一个电感相耦合。并且该离散耦合多核振荡器不局限于2级，可任意扩展为m级n核离散耦合振荡器(m
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公开(公告)号：CN114944822A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210554260.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称幅相补偿结构的噪声抵消放大器及接收机，非对称幅相补偿结构的噪声抵消低噪声放大器包括输入单元；输出单元；共栅放大链路，耦接在所述输出单元和所述输入单元之间；共源放大链路，与所述共栅放大结构并接在所述输出单元和所述输入单元之间；其中，所述输出单元包括四合一非对称幅度相位补偿功率合成变压器，所述四合一非对称幅度相位补偿功率合成变压器合并所述共栅放大结构的第一信号和所述共源放大结构的第二信号，并抵消匹配引入的额外噪声；由于微波频段频段复杂的寄生参数影响，在实际电路中共栅放大链路和共源放大链路很难保证幅度与相位的平衡；因此，通过四合一非对称功率合成变压器来实现带有幅度相位补偿的两路信号合成，提高噪声抵消效果。
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公开(公告)号：CN113746432A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010458807.5
申请日：2020-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种功率放大器及其回退效率提升控制方法，所述功率放大器包括：主路功率放大器、辅路功率放大器以及可重构匹配网络；可重构匹配网络连接主路功率放大器和辅路功率放大器的输出端；主路功率放大器和辅路功率放大器可由数字化功率放大器或模拟功率放大器构成；可重构匹配网络用于在所述功率放大器功率回退时，提升输出阻抗，进而提升功率放大器的回退效率。采用前述的功率放大器或其回退效率提升控制方法，避免了电源切换会导致功率放大器输出信号出现毛刺及电源调制效应可能会降低功率放大器的线性度的问题，采用本申请公开的技术可以有效提升功率放大器的深回退效率。
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