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公开(公告)号：CN104197975A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410398045.9
申请日：2014-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于测量值微分约束的传感器测量精度提高方法，确定迭代次数Nint，即可实现在迭代过程中动态调整Δt，自适应校正传感器输出，克服了利用算术平均的延时和递推平均等不具备的自适应性；本发明方法运算简单，适用于智能传感器自身信息处理单元实时校正，实现软件补偿硬件不足，在一定程度克服传感器自身分辨率所造成的测量不准确性，提高测量精度；本发明方法，不仅可以提高传感器测量数据的准确性，还具有一定的去噪能力，可直接用于传感器输出数据处理。
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公开(公告)号：CN104165627A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410429084.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01C21/00
CPC classification number: G01C21/20
Abstract: 本发明公开了一种基于线性规划的实时动态航迹规划方法，包括如下内容：在导航坐标系中，根据障碍物的形态特征坐标，获得障碍物边界坐标点所包含的坐标点集合；根据建立的离散时间模型，获得飞行器的动态参数约束集；基于障碍物边界坐标点所包含的坐标点集合以及飞行动态参数约束集，根据最优航迹目标函数，获得在导航坐标系中的航迹坐标点集，解决了现有技术中无法自动实现航迹规划的技术问题，进而实现了能够自动实现航迹规划的技术效果。
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公开(公告)号：CN103308477A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310180747.5
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含一条狭缝，所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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公开(公告)号：CN103293127A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310180709.X
申请日：2013-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明的一种基于SOI的多狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，基体的单晶硅层包含狭缝光波导，狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含多条狭缝槽，狭缝以基体长度方向的中心轴线为轴对称分布，长度与基体所述中心轴线相等。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564775A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310593751.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种相反方向双电子注太赫兹回旋管，包括两个阴极，两个第一阳极，内杆，第二阳极，谐振腔，输出直波导，辐射器，镜面，输出窗片以及磁体。本发明可以灵活控制两个电子注的质量；可以实现回旋管单频大功率输出；也可以实现回旋管双频双模输出；同时，能够单独加热某个发射带，达到回旋管发射不同引导中心半径的电子注激励不同模式的效果。
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公开(公告)号：CN114823255A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210183665.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于功分网络结构的双共焦波导回旋行波管输入耦合，本发明属于微波、毫米波器件技术领域。该发明包括功率分配部分、模式转换部分、截止段部分。采用Y型功分器级联，实现四路功率分配，并且通过在四路功分器上加载两种类型的扭波导实现对输出电磁场极化方向的调控。所采用的四路对称馈源的方式，达到了抑制杂模，降低反射系数、提高转换效率，增加带宽的有益效果。
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公开(公告)号：CN113032967A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110225272.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/06
Abstract: 本发明涉及一种磁控电子光学系统的磁场拟合方法，更具体地说，针对已知磁控电子光学系统的轴向磁场分布，运用特定线圈模型在三维仿真软件中对其全空间磁场进行准确拟合建模的方法。其特点包含S1：确定线圈类型；S2：线圈建模；S3：优化算法；S4：误差计算；S5：分析结果。本发明以线圈组模型参数以及各个线圈的电流为设计变量，以磁控电子光学系统的真实轴向磁场分布为目标进行设计优化，采用了多种技术手段分步骤进行，本发明设计优化的线圈模型拟合出的磁场与真实磁场的误差为0.08％，所求得的线圈磁场模型能高度还原实验磁场，基本可以解决在三维仿真环境中对磁控电子光学系统的三维磁场建模的问题。
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公开(公告)号：CN110896162A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911016617.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明提出了一种采用多模级联实现太赫兹回旋管频率超宽带可调的方法，其特点是采用多个工作模式级联工作的方式，通过调节工作磁场或者电子束能量使工作模式依次被激励，相对于传统单模工作的频率连续可调太赫兹回旋管而言，其频率可调谐的范围能得到很大的提高。在主频率为500GHz的情况下，采用了四个工作模式TE5,7,q,TE10,5,q,TE3,8,q,TE1,9,q级联工作，最终得到了约10GHz的频率调谐带宽，并且能使输出功率稳定在一定范围内。该超宽带频率连续可调太赫兹回旋管在DNP-NMR系统以及其他领域都有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106077640B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610414603.5
申请日：2016-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种块材合金制备系统，其包括喷头、激光设备及成型设备，所述成型设备包括成型台以及设置于成型台下方的若干个可通入冷却物质的导热管道，所述成型设备的降温速率为1×106k/s以上。本发明还提供一种块材合金制备方法，其提供至少一种金属粉末，使之由喷头喷出；激光加热熔融所述喷头喷出的金属粉末；提供成型设备，所述成型设备包括成型台以及设置于成型台下方的若干个可通入冷却物质的导热管道，所述成型设备的降温速率为1×106k/s以上，将熔融的金属粉末在所述成型台上冷却成型为非晶态块材合金。本发明所提供的块材合金制备系统及其制备方法中，通过降温速率的调控，以获得所需制备的非晶态块材合金。
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