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公开(公告)号：CN112534554B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980052131.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层℃下的tanδ值为0.2以上，对于黏弹性层(12)，对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50
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公开(公告)号：CN110476241B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880022512.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的双面粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用双面粘合片制造半导体装置的方法，所述双面粘合片依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材、以及第2粘合剂层。工序(1)：将硬质支撑体粘贴于第2粘合剂层的粘合表面的工序。工序(2)：将半导体芯片放置于第1粘合剂层的粘合表面的一部分的工序。工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、以及第1粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序。工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述双面粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型的封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。
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公开(公告)号：CN112534554A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980052131.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B7/022 , B32B27/00 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，对于黏弹性层(12)，对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。
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公开(公告)号：CN110462816A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880022421.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。
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公开(公告)号：CN109417045A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039795.9
申请日：2017-06-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/301
Abstract: 提供具备多个能够收纳片状体(CP)的收纳部(101)的调准夹具(100)，该调准夹具(100)的特征在于，收纳部(101)的收纳角部(103)形成为，在使片状体(CP)分别收纳于多个收纳部(101)而使片状体(CP)与收纳部(101)的壁部(102)抵接时，片状体(CP)的片状体角部不与收纳角部(103)接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585742B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980052146.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带(1)，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，黏弹性层(12)的厚度为80～800μm。
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公开(公告)号：CN111295738B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201880070728.8
申请日：2018-11-07
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其是使用膨胀性的粘合片(A)的半导体装置的制造方法，所述粘合片(A)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层中包含膨胀性粒子，该方法依次具有下述工序(1)～(3)。工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个芯片的工序；工序(2)：使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面的工序；工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。
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公开(公告)号：CN112203840B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880077482.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备：热膨胀性的粘合片(I)、以及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)，且在基材(Y2)的一个表面侧具有粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
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公开(公告)号：CN113195223A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082837.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L23/00 , H01L23/28 , C09J201/00 , H01L21/301 , C09J7/38 , H05K9/00 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种端子保护用双面胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用双面胶带，其具有粘弹性层(12)、基材(11)及第二粘着剂层(15)，所述粘弹性层(12)、所述基材(11)、所述第二粘着剂层(15)中的至少一层为导热层。
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公开(公告)号：CN108235784B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680059832.8
申请日：2016-10-07
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , B32B7/06 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的一个实施方式的半导体装置(100)具备半导体基板(11)、和保护层(20)。半导体基板(11)具有构成电路面的第一面、和与上述第一面相反侧的第二面。保护层(20)由含有软磁性粒子的复合材料的单一层构成，且具有粘接于上述第二面的粘接面(201)。
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