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公开(公告)号：CN115873525A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211184038.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J175/14 , C09J11/06 , C09D153/02 , C09D123/14 , C09D183/07 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。
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公开(公告)号：CN115873524A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211183306.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J175/14 , C09J11/06 , C09D153/02 , C09D123/14 , C09D183/07 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及其制造方法、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是由含有有机硅化合物的表面涂层形成用组合物形成的层。
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公开(公告)号：CN111344850A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072997.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/60 , G01N23/2273 , H01L21/304
Abstract: 本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，在通过X射线光电子能谱法对所述凸块的头顶部进行分析时，锡的浓度相对于碳、氧、硅及锡的合计浓度的比例为5％以上。
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公开(公告)号：CN116918039A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202180094836.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。
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公开(公告)号：CN108174616B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201680057668.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00
Abstract: 本发明的半导体加工用片具备基材、设于所述基材的一面上的凹凸吸收层、以及设于所述凹凸吸收层上的粘合剂层，其中，所述粘合剂层由能量线固化性粘合剂形成，所述粘合剂层在能量线固化后的断裂应力为10MPa以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585742A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980052146.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带(1)，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，黏弹性层(12)的厚度为80～800μm。
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公开(公告)号：CN112585742B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980052146.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种端子保护用胶带(1)，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，黏弹性层(12)的厚度为80～800μm。
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公开(公告)号：CN113195223A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082837.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L23/00 , H01L23/28 , C09J201/00 , H01L21/301 , C09J7/38 , H05K9/00 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种端子保护用双面胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用双面胶带，其具有粘弹性层(12)、基材(11)及第二粘着剂层(15)，所述粘弹性层(12)、所述基材(11)、所述第二粘着剂层(15)中的至少一层为导热层。
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公开(公告)号：CN107207920B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680007239.9
申请日：2016-01-12
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J121/00 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上、以及(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。
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公开(公告)号：CN108174616A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201680057668.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00
CPC classification number: C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体加工用片具备基材、设于所述基材的一面上的凹凸吸收层、以及设于所述凹凸吸收层上的粘合剂层，其中，所述粘合剂层由能量线固化性粘合剂形成，所述粘合剂层在能量线固化后的断裂应力为10MPa以上。
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