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公开(公告)号：CN109093115A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811029524.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu表面激光增材制造梯度复合材料的方法，包括以下步骤：制备用于激光增材制造梯度材料的粉末原料；Cu基体的表面预处理；利用激光增材制造设备，通过调控粉末成分和工艺参数逐层沉积，获得梯度复合材料；本发明所获得的梯度材料中主要元素Cu、V、Ni沿构建方向呈梯度分布，梯度层之间结合良好，随着增强相含量的增加，梯度材料的硬度值逐渐提高。
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公开(公告)号：CN107287592A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710689950.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 燕山大学
IPC: C23C24/10
CPC classification number: C23C24/103
Abstract: 本发明公开了一种纯铜表面激光熔覆制备二氧化锆-碳化硼增强熔覆层的方法，所述方法包括以下步骤：制备陶瓷复合增强熔覆粉末；待熔覆的纯铜基体的表面预处理；采用同步送粉方式，利用激光熔覆装置，使陶瓷复合增强熔覆粉末在纯铜基体的表面迅速熔凝，形成ZrO2-B4C陶瓷增强熔覆层，将熔覆后的纯铜基体空冷至室温。本发明所获得的熔覆层，可以提高熔覆层的力学性能，最终在纯铜表面获得成分均匀性能优异的熔覆层。
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公开(公告)号：CN117926248A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097965.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明设计一种激光镍基网状组织涂层的方法，属于激光加工与材料合成技术领域，步骤如下：原料粉末包括溶剂粉末和反应粉末，溶剂粉末为金属Ni粉，反应粉末由金属Ti粉末和NiWC40粉末组成；选用钢基板，进行表面处理，得到光滑洁净的金属基板，用试样袋封装，避免表面氧化；将准备的原料粉末通过无水乙醇捣成糊状预制在基板上，静置至无水乙醇挥发后将基板放入预热装置中预热；将预热好的试样置于激光头下的工作台上，设置激光光斑大小为10*2 mm2，功率为2000 W～2600 W，扫描速度为2～5 mm/s，在熔池中发生原位合成反应生成W2C和TiC增强相，随后熔池冷却，液相凝固将增强相排到边界处形成网状。
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公开(公告)号：CN114956826B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210748957.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵碳化物陶瓷技术领域，所述高熵陶瓷为单相面心立方结构的陶瓷；所述制备方法包括：S1：将一种金属和四种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；S2：将混合粉末A放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到高熵陶瓷（TiNbCrWTa）Cx。本发明选用Ti粉和Cr3C2粉相结合，既降低了烧结过程的烧结温度，又保证了高熵碳化物的碳源来源，还有利于各元素的扩散，使最终产物有着较高的致密度和均匀性，最终形成具有单相的固溶体，制备的高熵陶瓷具有优异的机械、物理和化学性能。
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公开(公告)号：CN112281157B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202011193479.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，包括如下步骤：S1、基体预处理将纯铜基体工作表面，用砂纸打磨、除油、除锈、清洗，然后黑化处理；S2、配制熔覆粉末配制含Mo粉、SiC粉、Ni粉和Cu粉的熔覆粉末，其中，Mo和SiC的含量占10‑30wt.％，Ni粉占30‑40wt.％，余量为Cu粉；并且Mo占85.67wt.％、SiC占14.33 wt.％；S3、混粉并干燥将步骤S2配制的熔覆粉末利用V型混料机混粉，然后将混合粉末干燥；S4、激光熔覆在保护气氛围下，进行激光熔覆，生成多相陶瓷。本发明所制备的陶瓷相增强铜基熔覆层组织致密，无气孔和裂纹，有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113480315B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110710799.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域，所述高熵低硼化物陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8为单相四方结构，其制备方法主要包括两个步骤：将各原料粉末混合均匀，制备得到混合粉末；采用热压烧结技术，将制备的混合粉末放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，烧结结束后，冷却至室温，得到高熵陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8。本发明利用硼化物和纯金属粉末为原料制备了块状高熵低硼化物，可以有效便利的控制体系中硼元素的含量；采用了较低熔点的纯金属元素作为粘结相，有效降低烧结温度，利用硼化物在烧结过程中可以保持良好的热稳定性，得到的高熵陶瓷致密性好、硬度高。
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公开(公告)号：CN113004047B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110168120.2
申请日：2021-02-07
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。
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公开(公告)号：CN110578065B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910857978.2
申请日：2019-09-11
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备片状铜粉、石墨烯镀镍处理得到镀镍石墨烯；所述片状铜粉与镀镍石墨烯混合进行球磨处理得到混合粉末、在磁场下对所述混合粉末进行逆流旋转取向处理得到复合粉末压坯；所述复合粉末压坯烧结得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明采用预先制备片状铜粉，同时对石墨烯进行镀镍处理，增加石墨烯的顺磁性；将片状铜粉和镀镍石墨烯混合粉末在磁场逆流旋转取向处理，热压烧结后制备出石墨烯定向增强铜基复合材料，提高了材料的力学及物理性能。
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公开(公告)号：CN113564579A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110762818.7
申请日：2021-07-06
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种利用激光熔覆制备铜基非晶复合涂层的方法，属于材料表面强化技术领域，包括4个制备步骤：熔炼合金粉末的制备、铜基体预处理、粉末预置处理和激光熔覆加工。本发明有效的改善了纯铜硬度低、摩擦性差等缺点，实现了铜基非晶复合涂层与纯铜基体的良好冶金结合，形成的复合涂层具有结构致密、组织均匀、硬度高、耐磨性好、无裂纹和高非晶含量等优点。
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公开(公告)号：CN113480315A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110710799.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域，所述高熵低硼化物陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8为单相四方结构，其制备方法主要包括两个步骤：将各原料粉末混合均匀，制备得到混合粉末；采用热压烧结技术，将制备的混合粉末放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，烧结结束后，冷却至室温，得到高熵陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8。本发明利用硼化物和纯金属粉末为原料制备了块状高熵低硼化物，可以有效便利的控制体系中硼元素的含量；采用了较低熔点的纯金属元素作为粘结相，有效降低烧结温度，利用硼化物在烧结过程中可以保持良好的热稳定性，得到的高熵陶瓷致密性好、硬度高。
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