公开(公告)号：CN113004047B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202110168120.2

申请日：2021-02-07

Applicant: 燕山大学

Inventor： 战再吉 ,  程庭信 ,  曹海要

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。

公开(公告)号：CN113004047A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110168120.2

申请日：2021-02-07

Applicant: 燕山大学

Inventor： 战再吉 ,  程庭信 ,  曹海要

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。