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公开(公告)号：CN106980335A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710310647.8
申请日：2017-05-05
Applicant: 湖南文理学院
IPC: G05D27/02
CPC classification number: G05D27/02
Abstract: 本发明属于烟叶烘烤技术领域，具体涉及一种基于ARM和PID算法控制的智能烤烟房温湿度控制系统，包括温湿度传感器、键盘、计算机、ARM控制器、液晶显示器、调功调压模块、GSM收发模块、风机、风门和排气扇，ARM控制器内设有温湿度采集模块、串行通信模块、RS通信模块、并行通信模块、PID算法及PWM输出模块、短信发送模块，温湿度传感器的输出端与温湿度采集模块的输入端连接，调功调压模块的输入端与PID算法及PWM输出模块的输出端连接，调功调压模块的输出端与风机、风门和排气扇的输入端连接，GSM收发模块与短信发送模块进行双向通讯连接。其目的是：解决传统人工作业烘烤不能即时跟踪调节温度和湿度的问题。
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公开(公告)号：CN106531626A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610977338.1
申请日：2016-11-08
Applicant: 湖南文理学院
Inventor： 龙永福
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种改善多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是将常规作为阴极的圆形薄铂片，以圆形薄铂片中心为圆心，沿着圆形薄铂片半径剪开，铂片卷起构成一个圆锥形的薄铂片，锥形薄铂片的内表面面向硅片作为阴极，以圆锥底部面中心为圆心，沿径向方向离圆心越远，锥形薄铂片阴极离硅片的实际距离越近。一方面，离硅片中心越远，腐蚀电流面密度越大，从而沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。
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公开(公告)号：CN106486356A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610977289.1
申请日：2016-11-08
Applicant: 湖南文理学院
Inventor： 龙永福
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法。该方法是在多孔硅制备完成后，立即将多孔硅薄膜浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解。一方面，由于在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔硅的多孔度沿纵向方向变大或折射率变小；另一方面，在使用NaOH溶液腐蚀和溶解多孔硅的过程中，在纵向方向上，腐蚀液的反应物向外扩散呈现一定梯度，越靠近多孔硅表面，NaOH溶液浓度越高，相反，离多孔硅表面越远，NaOH溶液浓度越小（腐蚀反应物越多），导致沿纵向方向上越向下腐蚀与溶解能力越弱。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致性，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，改善了多孔硅薄膜纵向物理结构的均匀性。
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公开(公告)号：CN106409705A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611007059.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 湖南文理学院
Inventor： 龙永福
IPC: H01L21/62
CPC classification number: H01L21/62
Abstract: 本发明公开了一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是在腐蚀槽外绕线圈，当线圈通交流电时，线圈内部（即腐蚀槽中）将产生变化的磁场，在变化的磁场周围存在感生电场，感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比。一方面，由于在感生电场的作用下，离硅片腐蚀中心越远，感生电场越大，正负离子热运动越快，导致沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深，同时，提高氢氟酸溶液在径向方向浓度的一致性；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298496A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610946637.9
申请日：2016-10-26
Applicant: 湖南文理学院
Inventor： 龙永福
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种改善多孔硅纵向物理结构和光学特性均匀性的方法。该方法是在制备多孔硅过程中，一方面，逐渐升高腐蚀液的腐蚀温度，氢氟酸分子纵向腐蚀硅的能力越来越大，从而引起在纵向方向上多孔硅的多孔度随腐蚀深度增加而减少；另一方面，在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔度变大或折射率变小。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，保证多孔硅薄膜纵向物理结构和光学特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN203775035U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420160423.5
申请日：2014-04-03
Applicant: 湖南文理学院
Abstract: 本实用新型公开一种LED驱动电源电路，包括依次连接在交流电与LED灯珠之间整流桥电路、EMC电路、高频变压器、输出电路及滤波电路，其特征在于，还包括连接在输出电路的输出端与高频变压器的初级绕组的输入端之间的反馈电路。本实用新型提出的LED驱动电源电路，采用反激式变换器来实现，通过反馈电路跟踪输出电压，并通过开关电源控制芯片调节漏极输出信号的占空比，使输出电压朝反向动态变化，从而使输出至LED灯珠的电压电流保持在一个较小幅度内波动的稳定值。本实用新型具有电路结构简单、抗干扰能力较强、稳压性能较高及输出电压电流精确的优点。
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公开(公告)号：CN206783754U
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201720481494.9
申请日：2017-05-03
Applicant: 湖南文理学院
IPC: C23C14/26
Abstract: 本实用新型公开了一种快卸式钼舟电极，包括移动电极架和电极底座，所述移动电极架包括钼舟、两根电极柱、两个绝缘陶瓷，其中钼舟的两端通过固定螺钉、垫片分别固定在两根电极柱的顶部，两个绝缘陶瓷之间通过固定螺钉连接在一起且在两个绝缘陶瓷的接触面上开有供两根电极柱穿过的凹槽；电极底座包括绝缘底座、供两根电极柱插入的两个套筒以及导线接头，其中套筒固定在绝缘底座的顶部，导线接头固定在绝缘底座的侧壁上；移动电极架与电极底座之间通过电极柱、套筒实现可拆卸连接。本实用新型在更换钼舟时可整体拔掉移动电极架，无需单独拆换钼舟，从而避免因接触钼舟而导致钼舟碎裂。
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公开(公告)号：CN204967337U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520670373.X
申请日：2015-09-01
Applicant: 湖南文理学院
Abstract: 本实用新型公开一种锂离子动力电池的充电控制电路，该充电控制电路包括连接显示屏(4)及压力传感器(16)的单片机(5)，该单片机(5)的一个控制端通过开关电路(8)连接锂离子动力电池，该单片机(5)的PWM端口连接用于将PWM信号处理成电压信号的PWM电路(6)，连接在PWM电路(6)的输出端与开关电路(8)之间的充电电路(7)，以及连接在充电电路(7)与单片机(5)之间的采样电路(9)。本实用新型实现对锂离子动力电池的智能充电控制，电路结构简单、安全可靠且可以延长锂离子动力电池的寿命。
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公开(公告)号：CN201682417U
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201020174091.8
申请日：2010-04-29
Applicant: 湖南文理学院
IPC: H02M3/07
Abstract: 本实用新型提出一种基于超级电容的电源保护电路，其包括：对负载供电的主供电电路(11)；连接在主供电电路(11)的电压输出端的超级电容(12)；控制超级电(12)进行充电、放电的充放电控制电路(13)，其连接超级电容(12)；连接在主供电电路(11)与负载之间的掉电检测电路(15)；用于将超级电容(12)输出的电能进行稳压处理后输出给负载的稳压电路(14)，其连接在超级电容(12)与负载之间。本实用新型具有高效率快速充放电、充电寿命长、控制电路简单的优点。
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