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公开(公告)号：CN119791662A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411742322.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种驾驶员状态监测系统及方法，包括：信号采集模块、信号收发模块和电源模块，所述电源模块与所述信号采集模块和信号收发模块电连接，向信号采集模块和信号收发模块进行供电；通过所述信号采集模块获取人体的力学信号和生理信号，通过所述信号收发模块将所述力学信号和生理信号发送至云端处理模块；通过所述云端处理模块内设置的状态监测模型对所述力学信号和生理信号进行处理分析，确定驾驶员状态。本发明解决了驾驶员状态监测不精准导致行车安全难以保障的问题。
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公开(公告)号：CN119654059A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163403.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，包括：在衬底上旋涂PMMA稀释液，进行电子束曝光，并进行低温显影，形成图案化底接触电极；将图案化底接触电极经物理气相沉积，去胶剥离后制得底接触电极；利用原子层沉积的方式在制备底接触电极的衬底上制备绝缘层；将带有铜基底的二维材料进行铜基底刻蚀，转移至绝缘层上方；将转移的二维材料进行图案化处理，得到图案化的二维材料电极；在二维材料图案化后的衬底表面旋涂PMMA稀释液，烘烤固胶后，进行电子束曝光，低温显影，形成图案化顶接触电极；将图案化顶接触电极经物理气相沉积，制得顶接触电极。本发明可大幅降低器件尺寸，提升器件性能均一性。
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公开(公告)号：CN119653820A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163404.0
申请日：2025-02-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法，包括：台阶基底、石墨烯栅、低介电常数介质层、高介电常数介质层、二维薄膜沟道和接触金属；所述台阶基底具有台阶结构，通过所述台阶基底作为石墨烯栅的支撑层，使得石墨烯栅中的石墨烯附着在台阶基底的侧壁上；所述低介电常数介质层作为回填台阶与台阶基底的台阶结构相啮合填充台阶基底的台阶结构；所述高介电常数介质层作为栅介质层设置在低介电常数介质层顶部；所述二维薄膜沟道设置在所述高介电常数介质层顶部，所述接触金属设置在所述二维薄膜沟道上，与二维薄膜沟道形成电气连接。本发明创新性地提出了如何制备垂直的1纳米以下栅长的单栅、多栅晶体管。
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公开(公告)号：CN118911297A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410839412.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 清华大学 , 珠海华发实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种相变保温材料及其制备方法与其在热整流方面的应用。所述相变保温材料的制备方法，其特征在于，包括：S1：将二氧化硅气凝胶粉末与水混合，得到絮状混合物；而后将所述絮状混合物进行压制成型，干燥硬化后得到二氧化硅气凝胶标准块；S2：将所述二氧化硅气凝胶标准块吸附熔融的C15～C25的烷烃和/或C15～C25的脂肪酸；其中，控制所述气凝胶标准块吸附前后的质量比为(1.5～2)：1。本发明提供的一种相变保温材料、及其制备方法与应用，将热整流性能结合到建筑外墙的保温层中，并具备良好的稳定性和可靠性，可实现批量生产。
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公开(公告)号：CN118626046A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410812165.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于二硫化钼晶体管的微处理器、芯片及计算装置，包括单位元件为二硫化钼的双栅晶体管的指令寄存器、控制单元、累加器、算术逻辑单元和输出寄存器；指令寄存器确定第一操作数、第二操作数和操作码；控制单元根据操作码生成算数逻辑指令、输出寄存指令和累加指令；累加器根据累加指令存储第一操作数并将第一操作数输入至算术逻辑单元；算术逻辑单元根据算术逻辑指令对第一操作数和第二操作数进行算术逻辑运算；输出寄存器根据输出寄存指令对运算结果进行存储。本发明基于二硫化钼的双栅晶体管实现双信号的输入，能够减少晶体管的使用数量，显著地降低了电路硬件占用芯片的面积和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117690976A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311491847.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及信息工程技术领域，提供一种垂直顶栅二维薄膜场效应晶体管、电子设备及方法，其中晶体管包括衬底、二维薄膜、第一栅介质层和栅极，二维薄膜设置于衬底，第一栅介质层设置于二维薄膜背离衬底的一侧，栅极覆盖于第一栅介质层的顶面和侧面，且栅极靠近二维薄膜的一端与二维薄膜之间存在间隙。本发明实施例提供的垂直顶栅二维薄膜场效应晶体管，栅极覆盖于第一栅介质层的顶面和侧面，从而在第一栅介质层侧面形成垂直顶栅结构，实现垂直顶栅结构和水平的二硫化钼沟道，能够在抑制短沟道效应的同时实现更小的横向尺寸和占用面积。
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公开(公告)号：CN117200786A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311015247.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于忆阻器和晶体管的逻辑门器件、控制方法和电路，逻辑门器件包括：顶电极、阻变层、第一底电极、第二底电极、沟道、栅介质层和栅电极；栅介质层形成于栅电极上；沟道形成于栅介质层上；第一底电极和第二底电极形成于沟道上，第一底电极和第二底电极间隔设置；阻变层形成于第一底电极、第二底电极以及间隔上；顶电极形成于阻变层上；顶电极、阻变层、第一底电极和第二底电极构成忆阻器模块，第一底电极、第二底电极、沟道、栅介质层和栅电极构成晶体管模块；顶电极作为逻辑门器件的第一输入端；栅电极作为逻辑门器件的第二输入端；第一底电极和第二底电极均作为逻辑门器件的输出端。本发明能够实现基本的逻辑功能，减小电路面积。
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公开(公告)号：CN110993694B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201911006920.3
申请日：2019-10-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/43
Abstract: 本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜，二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触；二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接生长的方式经由图形化制得；第一电极采用具有致密自氧化特性的金属材料通过溅射或蒸发方式进行沉积制得；利用第一电极的致密自氧化特性在除该第一电极与二维薄膜相接触外的其余表面均形成自氧化层，以此实现第一电极和第二电极之间的隔离，并在第一电极和第二电极之间自氧化层下方的二维薄膜内形成亚10nm的沟道。本发明在不依赖于光刻机精度的前提下制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116581163A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310434922.2
申请日：2023-04-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法。上述场效应晶体管，包括：衬底，所述衬底上设有绝缘纳米线，所述绝缘纳米线的两端分别设有源漏电极，所述衬底上设有台阶，所述台阶上设有铜基底CV D石墨烯或单层单晶石墨烯形成的石墨烯栅极层，所述石墨烯栅极层上设有栅电极；具备半导体性质的二维膜层，所述二维膜层的截面为“Ω”形，所述二维膜层的中部位于所述绝缘纳米线的外壁，所述二维膜层的两个侧部位于所述衬底；介质层，所述介质层位于所述二维膜层的中部。本发明提供的场效应晶体管能够在尺寸极限缩小的情况下进一步抑制短沟道效应，实现较高的开关比，改善器件基础性能。
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公开(公告)号：CN113317909B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110653573.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及失声患者辅助发声技术领域，提供了一种多维度智能人工喉，包括：多维度信号采集模块，包括第一信号采集单元和第二信号采集单元，第一信号采集单元用于采集喉部运动时的力学信号、肌电信号和头部的脑电信号，第二信号采集单元用于采集通过空气传输和骨传导的声音信号；云端信号处理模块，用于经无线通讯模块接收上述信号进行处理得到电学信号；发声模块为复合膜结构，包括压电材料薄膜，压电材料薄膜的上表面和下表面分别设有热声材料薄膜，发声模块用于经无线通讯模块接收电学信号并将其转化为声音进行语音播放。本发明具有多维度信号采集、信号多样准确、非机械音发声和音质多样可调等特点。
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