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公开(公告)号：CN101508560B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910119881.8
申请日：2009-03-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L35/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , H01L35/22
Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2-2xZnxGexO3(0＜x≤0.20)的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。
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公开(公告)号：CN102034963A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910190671.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 清华大学深圳研究生院 , 深圳市比克电池有限公司
Abstract: 本发明提供了一种锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂的制备方法及由所述方法制备的锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂、正极、电池，该方法是以磷酸亚铁盐、补偿磷酸根盐和锂盐为原料，少量碳作为添加剂，合成具有亚微米或纳米级的锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂。本发明的技术效果在于采用的磷酸亚铁盐成本低廉并且简化了制备工艺，而且本发明的锂离子电池正极材料磷酸亚铁锂具有良好的充放电容量、倍率性能和循环性能。
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公开(公告)号：CN101876691A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910237886.0
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 一种多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及测试方法，涉及材料的性能测试领域。其特征在于：该测试系统包括直流偏置磁场发生装置、交流磁场发生装置、薄膜样品探针夹持装置以及微小信号采集放大装置；并提供了多铁性薄膜材料磁电性能的测试方法。本发明可以通过精确测量薄膜微小电响应信号，识别电磁感应干扰信号与多铁性磁电响应信号的区别，获取真实的多铁性薄膜材料在不同频率和偏置磁场下的磁电系数的幅值，还可以获得薄膜样品电极化随交变磁场的变化规律。
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公开(公告)号：CN101508560A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910119881.8
申请日：2009-03-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01L35/34 , H01L35/22
Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2－2xZnxGexO3(0＜x≤0.20＝的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。
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公开(公告)号：CN101391892A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810224523.9
申请日：2008-10-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及多孔压电陶瓷技术领域，具体涉及一种高气孔率多孔压电陶瓷的制备方法。其步骤为，按比例称取成孔剂、单体、交联剂，并磁力搅拌，得到预混液；向预混液中添加锆钛酸铅陶瓷粉体和分散剂，球磨后，得到锆钛酸铅陶瓷悬浮体浆料，再依次催化剂和引发剂，搅拌均匀后注入模具，单体和交联剂发生聚合反应，在浆料内生成长链高分子聚合物，锆钛酸铅颗粒实现原位固化，得到高强度锆钛酸铅陶瓷坯体；坯体经过脱模、干燥、升温、烧结工序，获得多孔锆钛酸铅压电陶瓷材料。制备得到的多孔PZT陶瓷材料具有高气孔率、高强度、声学性能好、声学换能效率高的优点；制备工艺简单，制得的坯体强度高，工艺过程易于工业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100347127C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510116702.7
申请日：2005-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/645 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种兼备电容电感性能的复合材料及其制备方法，属于电子复合材料制备技术领域。所述复合材料以Ni0.3Zn0.7Fe1.95O4-Ni-PVDF和Ba3Co2Fe23O41-Ni-PVDF两种体系的三元复合材料作为实验对象。将铁氧体、金属镍颗粒与聚偏氟乙烯混合均匀后，置于模具内，在温度为180～220℃，压力为10～15MPa的条件下，热压20分钟成型。对于Ni0.3Zn0.7Fe1.95O4-Ni-PVDF体系，其起始磁导率在10MHz以下均保持在30左右，介电常数在1kHz下达到200左右。对于Ba3Co2Fe23O41-Ni-PVDF体系，其起始磁导率在500MHz以下均保持在4.0左右，介电常数在10MHz下能够达到130左右。此种容感两性电子复合材料具有独特的双渗流结构，有效地实现了高介电常数与高起始磁导率集成，且制备温度低，工艺简便，具有良好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN101050120A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099070.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/63 , C04B35/645 , C04B35/40
Abstract: 本发明涉及一种铁酸铋基多功能氧化物陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料制备领域。所述方法是将BLTFO8粉体预压成片后，将保护性粉体Al2O3、CeO2、ZrO2或FeO放入石墨模具内，压实；把压片移入模具内的氧化物保护性粉体层上；继续往模具内添加氧化物保护性粉体，将BLTFO8圆片包埋，压实；将模具移入SPS烧结炉中，3分钟内升至600℃，再以50℃/min的速度升至烧结温度，保温，烧结。由于BiFeO3具有G－型反铁磁结构，通过掺杂La、Tb等稀土元素或Ba、K等金属元素破坏其反铁磁结构，使BiFeO3基陶瓷具有室温铁磁性。采用包埋放电等离子烧结，控制烧结参数，可以抑制元素的变价，降低损耗，使掺杂BiFeO3基陶瓷在室温下同时具有良好的铁电和铁磁性能。
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公开(公告)号：CN1924095A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610112791.2
申请日：2006-09-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于材料科学领域的一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法。所述薄膜的组成用LixNi1－x－yMyO来表示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1。采用溶胶一凝胶法，在Si衬底上用旋涂甩胶的方法制备Li及过渡族金属离子M的NiO薄膜，然后在快速热处理炉中处理，即获得室温铁磁性薄膜材料。本发明通过使用新型的宽带隙基体材料，和改变载流子浓度，得到具有可调控室温铁磁性的过渡族元素掺杂的氧化物基稀磁半导体材料。薄膜在室温下具有铁磁性和很高的电导率，薄膜的室温铁磁性的大小和电导率可以通过改变掺杂的过渡族金属的种类，以及Li离子的含量来调节。该技术工艺简单，重复性强，产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN1719635A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510011750.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/16 , H01L43/10 , C04B35/472 , C04B35/491 , C22C28/00 , C09J163/00
Abstract: 一种1－3结构巨磁电材料及其制备方法，该材料由压电陶瓷、磁致伸缩材料和高分子粘结剂组成，所述压电陶瓷有一个维度大于另外两个维度，呈长柱状，压电陶瓷柱上下连通分布在磁致伸缩材料粉末与高分子粘结剂组成三维连通的基体中，具有1－3结构。本发明与现有技术相比，这种1－3结构巨磁电材料制备过程简单易行，性能测试表明该材料的磁电转换系数高并且稳定。改变压电陶瓷的含量，可以调节材料的磁电转换系数，使之满足不同的需求。
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公开(公告)号：CN1224115C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02124138.4
申请日：2002-07-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/22
Abstract: 以有机高分子为粘结剂的三元复合磁电材料及其制备方法，该材料以有机高分子为粘结剂(例如聚偏氟乙烯和聚乙烯等)，将压电陶瓷(如锆钛酸铅、钛酸铅和钛酸钡等)和磁致伸缩材料(如铽镝铁合金)在低温下热压成型，可制备0-3和2-2型磁电复合材料。该方法与现有技术相比，具有成型加工简单，材料机械性能好，磁电转化系数较高等优点，是一种新型的磁电多功能复合材料。采用热压技术制备该种复合磁电材料，热压温度低，一般在120～200℃之间，成型方便。通过调节成分的添加次序以及组份的相对含量，可以明显地改变材料的磁电性能，使之达到不同的要求。
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