公开(公告)号：CN101964229B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910109047.0

申请日：2009-07-21

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘锴 ,  周睿风 ,  孙颖慧 ,  姜开利 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/02 ,  H01B1/04 ,  B81C5/00 ,  B81B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管绞线的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管，该多个碳纳米管的轴向基本沿同一方向延伸；沿碳纳米管的轴向施加两个相反外力作用于该至少一碳纳米管膜，使该至少一碳纳米管膜中至少部分的碳纳米管在该外力拉力的作用下沿碳纳米管轴向绷直；以及扭转该至少一碳纳米管膜，获得一碳纳米管绞线。本发明还涉及一碳纳米管绞线。

公开(公告)号：CN101863462B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200910106771.8

申请日：2009-04-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 冯辰 ,  姜开利 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/15

Abstract: 本发明涉及一种制备碳纳米管膜的方法，其包括如下步骤：提供一形成于一基底上的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管基本垂直于所述基底表面；提供一拉伸装置，该拉伸装置具有一接触面，该接触面上设置有黏胶；将该拉伸装置靠近所述基底，并使所述接触面相对于碳纳米管阵列中的碳纳米管倾斜，使所述黏胶与碳纳米管阵列中的多个碳纳米管接触；沿远离所述碳纳米管阵列的方向移动所述拉伸装置，使碳纳米管首尾相连地从碳纳米阵列中连续地被拉出，从而获得一碳纳米管膜。本发明提供的制备碳纳米管膜的方法，利于连续制备碳纳米管膜。本发明还提供了一种制备该碳纳米管膜的拉伸装置。

公开(公告)号：CN101458975B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200710125102.6

申请日：2007-12-12

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 李群庆 ,  姜开利 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01B5/14 ,  C01B31/00 ,  G06F3/041

CPC classification number: H01L31/022466 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G06F3/044 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/102 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24628 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/30 ,  Y10T442/60 ,  Y10T442/67

Abstract: 本发明涉及一种电子元件，该电子元件包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的一表面上。其中，所述的透明导电层包括一碳纳米管层。

公开(公告)号：CN101734644B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810217814.5

申请日：2008-11-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 姜开利 ,  冯辰 ,  肖林 ,  陈卓 ,  刘亮 ,  范守善 ,  李群庆 ,  潜力 ,  刘锴 ,  魏洋

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B29C55/04 ,  B29K2105/162 ,  D02J1/22

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管膜的拉伸方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜及至少一弹性支撑体；将所述至少一碳纳米管膜至少部分固定设置于该至少一弹性支撑体；以及拉伸该弹性支撑体。

公开(公告)号：CN101990148A8

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200910108865.9

申请日：2009-07-31

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 王佳平 ,  刘亮

IPC: H04R7/02 ,  H04R9/06 ,  H04R9/02

Abstract: 本发明涉及一种振动膜，包括：一振膜基体；以及至少一增强结构复合于该振膜基体中，其中，该增强结构由至少一自支撑的碳纳米管结构组成。本发明还涉及一应用该振动膜的扬声器。

公开(公告)号：CN102207575A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110174812.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 冯辰 ,  姜开利 ,  刘亮 ,  张晓波 ,  范守善

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明涉及一种光学偏光元件，其包括一支撑体和一设置于该支撑体的偏光膜，该偏光膜为至少一层碳纳米管薄膜，所述碳纳米管薄膜为由多个碳纳米管通过范德华力相互结合形成的宽度为1厘米至10厘米的连续的整体结构，该至少一层碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。由于碳纳米管具有高温的热稳定性，且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性，故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能，具有广泛的应有范围。本发明还涉及一种光学偏光元件的制备方法。

公开(公告)号：CN101499338B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910002444.8

申请日：2009-01-16

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 姜开利 ,  刘亮 ,  刘锴 ,  赵清宇 ,  翟永超 ,  范守善

IPC: H01B13/02 ,  H01B1/00 ,  H01B5/08 ,  C01B31/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01B13/0026 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24

Abstract: 本发明涉及一种绞线的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管结构；形成导电材料附着于所述碳纳米管结构表面；以及扭转所述碳纳米管结构，形成一绞线。

公开(公告)号：CN101996706A8

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910189818.1

申请日：2009-08-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  吴荣发

IPC: H01B7/04 ,  H01B7/18 ,  H01B11/06 ,  H04R1/10

Abstract: 一种耳机，其包括一根耳机线，一个电性连接于所述耳机线一端的扬声器以及一个电性连接于所述耳机线另一端的插头。所述耳机线包括一根第一极线，一根与所述第一极线绝缘相间的第二极线，一个包覆在所述第一、第二极线外面的护层。所述第一、第二极线都分别包括至少一根导线。所述导线外侧设置有绝缘层。所述第一、第二极线中之一还包括至少一根碳纳米管线。由于碳纳米管本身所具有的优异的机械性能，由该碳纳米管制备的碳纳米管线也具有强大的抗绕折度，因此具有该碳纳米管线的耳机线，其抗绕折度也会得到很大的提高，从而降低耳机的损坏率。

公开(公告)号：CN101499389B8

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810066047.2

申请日：2008-02-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04

Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端。

公开(公告)号：CN101314465B8

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200710074810.1

申请日：2007-06-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 罗春香 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种分支型碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一缓冲层于该基底的表面；形成一催化剂层于该缓冲层的表面，在碳纳米管的生长温度下，该催化剂层与上述缓冲层的材料是互不浸润的；将表面形成有缓冲层及催化剂层的基底置于一反应炉内；加热使反应炉的温度达到一预定温度，先通入保护气退火一段时间后，再往反应炉内通入碳源气，反应一段时间即得到分支型碳纳米管。该方法制备的分支型碳纳米管的产率可达到50％。