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公开(公告)号：CN102290417A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110244004.0
申请日：2011-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层，P+衬底层上从左到右依次设有第一N阱、第二N阱、第二P阱和第一P阱，第二N阱与第二P阱相连；P+衬底层上相对于第一N阱的前侧设有第三N阱，相对于第一P阱的前侧设有第三P阱；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱和第三P阱上分别对应的设有P+有源注入区、N+有源注入区和N型晕环层；N型晕环层上自底向上依次设有N型漏层、二氧化硅层和P+/N+多晶硅层。本发明通过采用三极管与低电容二极管的组合结构，进一步降低了TVS的寄生电容，提高了ESD防护的响应速度和鲁棒性，可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。
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公开(公告)号：CN101771045B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010040059.5
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/082 , H01L23/60
Abstract: 本发明公开了一种PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用PNP双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
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公开(公告)号：CN101752372B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010040055.7
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/082 , H01L23/60
Abstract: 本发明公开了一种NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用NPN双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
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公开(公告)号：CN102034858A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010522613.3
申请日：2010-10-28
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/747
Abstract: 本发明公开了一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱以及位于P阱两侧的第一N阱和第二N阱；第一N阱上方从外到内依次设有通过浅壕沟隔离的第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区，第三N+注入区横跨第一N阱和P阱的交界处；第二N阱上方从外到内依次设有通过浅壕沟隔离的第二N+注入区、第二P+注入区和第四N+注入区，其中第四N+注入区横跨第二N阱和P阱的交界处；第三N+注入区和第四N+注入区之间P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明双向可控硅利用NMOS源漏穿通辅助触发，开启电压和寄生电容小，鲁棒性能强，并可提供双向ESD防护。
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公开(公告)号：CN102034814A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010522615.2
申请日：2010-10-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种静电放电防护器件，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱，P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区；第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨，第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨，第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离；第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明ESD防护器件利用衬底触发环形栅NMOS管，能有效改善多叉指GGNMOS的导通均匀性，具有面积小，电流均匀的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834182A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010130843.5
申请日：2010-03-23
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，由漏极连接核心电路的输入出端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联，漏极连接GCNMOS管的栅极，源极和衬底接地，栅极连接核心电路的VDD电源线的NMOS管组成。本发明通过在栅上加一个小的NMOS，用VDD作为该NMOS的控制信号，既能使得多叉指GGNMOS均匀开启，提高器件的鲁棒性，同时解决了GCNMOS结构不能用于较高信号频率的输入端的保护问题。使得这种简单有效的ESD防护方案的适应范围得到有效的拓展。
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公开(公告)号：CN101771043A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010040057.6
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用齐纳二极管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
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公开(公告)号：CN102569295B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210060501.X
申请日：2012-03-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102544067B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210060504.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二NMOS管相连，第一NMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三NMOS管相连，第四NMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用NMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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公开(公告)号：CN102254911B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110195355.7
申请日：2011-07-13
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的发生。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。相比传统基于二极管和MOS管的ESD防护方案，本发明有着面积效率上的优势；相比传统二极管辅助触发的可控硅防护方案，本发明有着低闩锁风险的优势。
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