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公开(公告)号：CN101270468A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810061491.5
申请日：2008-05-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的增强氧化锌薄膜发光的方法，采用的是在氧化锌薄膜上磁控溅射生长银纳米粒子。其制备是：将已生长有氧化锌薄膜的石英基底放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，利用直流磁控溅射在氧化锌薄膜上沉积银纳米粒子。采用本发明可以增强氧化锌薄膜的发光效率，方法简单，整个发光体系结构简易，而且发光增强可通过溅射时间来控制，并且可同时实现带间发光增强和缺陷发光淬灭，可以被用作增强氧化锌等发光材料的发光强度。
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公开(公告)号：CN1295798C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410016497.2
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/036
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散的球径相同的二氧化硅小球溶液中，用提拉沉积法在衬底上沉积得蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜热处理后，再次浸入到含有与前次球径不同的二氧化硅小球溶液中，沉积另一层蛋白石薄膜并进行热处理，再放入化学气相沉积装置或化学溶液中，在二氧化硅小球空隙中填入具有高介电率的IV族或II-VI族复合半导体材料。或者在得到第一层蛋白石薄膜后就填充具有高介电率的材料，然后再在其上用提拉法沉积第二层蛋白石结构的二氧化硅薄膜层，之后再次进行填充。最后，将薄膜放入稀释的氢氟酸中溶解掉二氧化硅球。本发明工艺简单，而且带隙可调，制得的光子晶体异质结薄膜，可在光电子器件和全光集成中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN120028993A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510093659.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂铒硅酸盐薄膜的混合波导放大器及其制备方法。基于共掺杂铒硅酸盐薄膜的混合波导放大器包括基片、氮化硅层和共掺杂铒硅酸盐层；基片为热氧化硅片，热氧化硅片的一侧表面为氧化硅层；氮化硅层设置在氧化硅层上且被刻蚀为波导结构；共掺杂铒硅酸盐层沉积于氮化硅层和氧化硅层上，使氮化硅层被完全包覆于氧化硅层与共掺杂铒硅酸盐层之间；共掺杂铒硅酸盐层中共掺杂的元素包括第一元素和第二元素，其中第一元素为锂、铝、钠、镁中的至少一种，第二元素为镱；第一元素和第二元素共掺杂在铒硅酸盐晶格内。
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公开(公告)号：CN118448488A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410569518.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于掺锡的锗量子点/六方硅纳米线的宽波段响应自驱动型光电探测器及其制备方法和应用。光电探测器包括：衬底；位于衬底上的掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构；电极，包括正电极和负电极，与掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构形成欧姆接触或肖特基结接触。制备方法包括：在衬底上生长和/或转移六方硅纳米线结构；在六方硅纳米线结构表面沉积和/或旋涂掺锡的锗量子点，并进行退火处理；制作电极。
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公开(公告)号：CN117727848A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311681326.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘加速层效应提供热电子的电致发光器件及其制备方法。电致发光器件包括依次层叠的金属背电极、衬底、氧化硅加速层、多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜和氧化物透明电极，其中相邻稀土掺杂氟氧化锡薄膜之间设置氧化铝中间加速层。制备方法：在衬底一侧制作氧化硅加速层，在氧化硅加速层上制作第一层稀土掺杂氟氧化锡薄膜，在第一层稀土掺杂氟氧化锡薄膜上依次交替制作氧化铝中间加速层和第n层稀土掺杂氟氧化锡薄膜，n≥2，直至多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜制作完成，最后在衬底另一侧制作金属背电极，并在多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜表面制作氧化物透明电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106756825B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611040248.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105261932B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510771197.3
申请日：2015-11-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源，包括金属纳米颗粒和量子点的混合液以及激发所述混合液的脉冲激光器；所述混合液的制备方法包括以下步骤：(1)制备水溶性的金属纳米颗粒；(2)将步骤(1)得到金属纳米颗粒进行表面改性，以使其溶于油相，将改性后的金属纳米颗粒分散在溶剂中；(3)将半导体量子点加入步骤(2)得到的混合溶液中混合，得到金属纳米颗粒和量子点的混合液；本发明的光源的组成不需要复杂的体系，只需将适宜浓度的金属纳米颗粒和半导体量子点混合，用脉冲激光激发即可得到Rabi劈裂，得到强耦合光源，操作简单、成本低且重复性高。
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公开(公告)号：CN105618785B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610028723.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铜/银核壳结构纳米线的制备方法，包括以下步骤:(1)制备铜纳米线，清洗后散入水中；(2)向步骤(1)的混合液中加入硫脲，并充分搅拌；(3)配制硝酸银溶液，滴加到步骤(2)得到的混合液中，避光搅拌；(4)将步骤(3)的混合液过滤清洗后，得到铜/银核壳结构纳米线；本发明制备的铜/银核壳结构纳米线为银包覆均匀、致密的铜基纳米线；利用铜本身来还原生成银壳层，核壳结构结合紧密，纳米线的稳定性佳；采用制备方法简单且最终产物分散于酒精保存即可，制备和保存成本低。
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公开(公告)号：CN106756825A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611040248.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C23C14/3464 , C09K11/636 , C23C14/0036 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103288087B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310204226.9
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性，在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比，改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强；同时，硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高，发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善；此外，包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单，方便操作并且适合大规模生产，具有很强的工业应用前景。
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