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公开(公告)号：CN101478007A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910095740.7
申请日：2009-01-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器，包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极，利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜，使用ZnS作为绝缘层保护光电导主体部分，在PbTe薄膜上利用射频磁控溅射技术镀Ti－Au薄膜做电极，ZnS绝缘保护层在2～10μm中红外波段具有良好的透射率，PbTe光电导中红外探测器对于2～5μm中红外波段的光具有较高的光电导灵敏度和响应度。
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公开(公告)号：CN100371509C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510048905.7
申请日：2005-01-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c-轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳米柱阵列之上形成取向随机但几乎平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝。该产品的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，通过“二步沉积”工艺，在基底表面一次性生长得到。
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公开(公告)号：CN100366789C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510049983.9
申请日：2005-06-07
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/30 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/203
Abstract: 一种纤锌矿结构Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法，其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)y(ZnO)1-y靶材，y为原子个数比，0≤y≤2%，并在电离的O气氛中沉积Zn1-xMgxO半导体纳米晶体薄膜，即由电子枪发射出高能电子束，电子束经聚焦后直接轰击由高纯MgO、ZnO粉末按一定组分配比、并经高温烧结而成的(MgO)y(ZnO)1-y靶材，电子束的动能变成热能，使得热蒸发的ZnO和MgO分子离开表面，散射并沉积到已加热的衬底表面，再通过扩散运动形成晶核，晶核连续生长以形成晶粒均匀致密、表面平整的纳米晶体薄膜，最后是低温沉积的ZnMgO纳米薄膜在氧气气氛中经高温300～600℃退火处理，制备得到纤锌矿结构Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN101106092A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710068039.7
申请日：2007-04-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/363 , C30B23/02
Abstract: 一种IV－VI族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法，在精确控制的超高真空条件下，从束源炉中蒸发出来的IV－VI族各种原子和分子束与一个清洁并具有很好晶面取向的单晶衬底表面相遇，到达衬底表面的原子和分子经过在衬底表面吸附、迁移和结晶等过程，形成高质量的单晶薄膜。通过精密控制束流量、衬底温度等生长条件，使外延的IV－VI族化合物在衬底表面按一个原子层接一个原子层的模式生长，用这种方法能够生长IV－VI族半导体异质结构，包括量子阱、超晶格，制造成本低，产品质量高。
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公开(公告)号：CN100356642C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510049275.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c-MgxZn1-xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c-MgxZn1-xO(即立方MgxZn1-xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1-x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c-MgxZn1-xO势阱层得到c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1312733C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510048929.2
申请日：2005-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c-轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
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公开(公告)号：CN111650177A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010390423.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种实现单分子探测的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法，基底结构从下至上依次为Au孔阵列层，二维薄层GaTe层和Au纳米颗粒层，本发明在SiO2/Si基底层上，通过热蒸发的方法生长Ti层或Cr层，利用光刻和微纳加工方法制备Au孔阵列层，利用机械剥离的方法制备二维薄层GaTe层，并利用转移平台转移到Au孔阵列层上，最后将基底浸没在HAuCl4溶液中制备Au纳米颗粒层。本发明得益于GaTe材料较高的缺陷密度，在二维薄层GaTe层上自组装形成的金纳米颗粒层覆盖率能达到98％，此基底对R6G分子的最低探测浓度达到10-16M，超过了绝大部分的表面增强拉曼散射基底，具有较好的稳定性和可重复性，具有实用化前景。
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公开(公告)号：CN103346221A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310204886.7
申请日：2013-05-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管（QD-LEDs）器件。本发明是一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管器件，器件包括：电子注入层，空穴注入层，无机电子传输层，有机空穴传输层以及量子点有源发光层，所述的器件是从下往上依次为空穴注入层、有机空穴传输层、量子点有源发光层、无机电子传输层、电子注入层的结构。本发明克服了利用纯有机半导体材料作为传输层的量子点发光二极管不足，充分利用无机金属氧化物的稳定性及电学参数容易调控的特点，改进了量子点发光二极管的能效和性能，本发明的量子点电致发光器件能够实现与TFT结合，实现基于量子点的有源矩阵发光二极管平板（AMQLED）。
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公开(公告)号：CN102509757A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110456171.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种利用单一尺寸量子点制备在可见光和近红外波段发光及能产生激光的器件结构及其制备方法，它以ITO为衬底，在衬底上生长ZnS，然后在ZnS薄膜上旋涂CdSe胶质量子点，再在量子点上生长ZnS薄膜和金属电极，通过光刻形成器件图形，最后封装在金属电极上引出导线。器件结构的发光波长位于450-850nm之间，基于量子点的表面缺陷态可以获得可见光和近红外光的发射，利用电激励使表面缺陷态能级粒子数反转而获得激光，它可用于LED白光照明和激光器件等。
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