-
公开(公告)号：CN115132823A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210665711.5
申请日：2022-06-13
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/07 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该器件栅极为分离栅结构，通过源极多晶硅将栅极多晶硅分成左右两部分，并在底部添加额外的P‑shield区域，源极多晶硅通过贯穿续流管氧化物与P‑shield区相连；该结构使得集成在平面结构氧化物底部的沟道二极管可在器件中代替体二极管作为续流二极管，减小了传统SiC MOSFET中因为电子与空穴的复合导致的双极退化效应，且续流二极管的开启压降小于体二极管，降低电路系统功耗；本申请的分离栅结构取代了传统的整块栅极结构，减少了栅极与漏极之间电容正对面积，改善了器件电容特性和米勒效应，降低了器件的开关损耗以及开关时间。
-
公开(公告)号：CN106908708B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710130645.0
申请日：2017-03-07
Applicant: 江南大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光热点统计的氮化镓基发光二极管可靠性分析方法。该方法首先通过步进应力测试或反向扫描电流‑电压曲线，分析氮化镓基发光二极管的反向漏电流随时间的退化过程，选取反向漏电流随时间呈明显的上升趋势的电压作为采集元器件电致发光热点时的固定偏压；而后通过微光显微系统，每隔一段时间采集一张电致发光热点的图像；最后通过统计发光二极管元器件退化过程中累积电致发光热点个数，绘制热点产生时间的韦伯分布曲线，来分析发光二极管元器件的可靠性和寿命。本发明采用的是一种简单可操作的方法，实现了对氮化镓基发光二极管元器件的可靠性分析，较现有方法相比具有快速、低成本等优势。
-
公开(公告)号：CN105630058B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610167446.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 江南大学
IPC: G05F1/563
Abstract: 本发明公开了一种改进型片上线性稳压器，包括：误差放大器，前级电压采样电路，尾部反馈电路以及输出电路。所述误差放大器用于稳定前级反馈环路，使得采样节点电压稳定在一个恒定值；所述前级电压采样电路连接所述误差放大器和尾部反馈电路，用于被误差放大器采样电压和提供后级输出电路所镜像的结构；所述尾部反馈电路连接所述前级电压采样电路和输出电路，用于将输出端口电压与前级相联系以提高该线性稳压器的负载调整率；所述输出电路用于镜像前级结构，构成共源级输出，增强该线性稳压器的负载瞬态响应。
-
公开(公告)号：CN102684641A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164669.5
申请日：2012-05-24
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种多标准、多频段的CMOS差分低噪声放大器可应用于13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频率的多标准、多频段接收机前端电路中。主要由输入阻抗匹配网络，带源极电感负反馈共源共栅放大电路，输出阻抗匹配网络组成。其中输入阻抗匹配网络由开关控制的电容阵列组成；放大电路使用源极电感负反馈保证电路的高线性度和低噪声；输出阻抗匹配网络使用LC谐振网络并联电阻构成，实现了输出阻抗匹配。匹配电容使用MOS电容，电感使用有源电感，减小了芯片面积，降低了工艺的复杂度。多标准、多频段的CMOS差分低噪声放大器可实现不同频率下的阻抗匹配，对输入信号进行选择性放大。
-
公开(公告)号：CN206639803U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201720295253.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203070359U
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201320070528.7
申请日：2013-02-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本实用新型公开超市多功能物联网购物车，包括RFID扫描仪、Android显示屏、扶手、万向轮、支撑杆和购物框体，其连接关系在于：所述扶手设置在购物框体一侧的顶部，所述Android显示屏设置在扶手的上方，所述RFID扫描仪设置在扶手上，置于右手边且与Android显示屏通过USB相连，Android显示屏的底部通过塑料框体固定在扶手上。本实用新型将零散的网络、系统集成到一个平台，实现了智能购物。
-
公开(公告)号：CN202617072U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220238097.6
申请日：2012-05-24
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种多标准、多频段的CMOS差分低噪声放大器可应用于13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频率的多标准、多频段接收机前端电路中。主要由输入阻抗匹配网络，带源极电感负反馈共源共栅放大电路，输出阻抗匹配网络组成。其中输入阻抗匹配网络由开关控制的电容阵列组成；放大电路使用源极电感负反馈保证电路的高线性度和低噪声；输出阻抗匹配网络使用LC谐振网络并联电阻构成，实现了输出阻抗匹配。匹配电容使用MOS电容，电感使用有源电感，减小了芯片面积，降低了工艺的复杂度。多标准、多频段的CMOS差分低噪声放大器可实现不同频率下的阻抗匹配，对输入信号进行选择性放大。
-
公开(公告)号：CN205656610U
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201620303121.8
申请日：2016-04-12
Applicant: 江南大学
IPC: G06F11/273
Abstract: 本实用新型涉及一种基于SoPC的高性能流水线ADC频域参数评估系统，包括样本采集和处理SoPC、待评估ADC芯片子板、图形界面控制端、信号源与时钟源。样本采集和处理SoPC利用Microblaze处理器通过子板接口配置待评估ADC子板，利用异步FIFO模块缓存来自待评估ADC芯片子板的样本，通过DMA控制器将样本存储至DDR3存储器。待评估ADC芯片子板接受信号源与时钟源产生的信号作为输入采样信号与时钟信号。图形界面控制端通过串口与Microblaze处理器进行通信、接收样本，在图形界面控制端中完成频域参数评估。本实用新型采用模块化方法，缩短了频域性能评估周期，具有成本低、操作方便的优点。
-
公开(公告)号：CN205405319U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620229337.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 江南大学
IPC: G05F1/563
Abstract: 一种改进型片上线性稳压器，包括：误差放大器，前级电压采样电路，尾部反馈电路以及输出电路。所述误差放大器用于稳定前级反馈环路，使得采样节点电压稳定在一个恒定值；所述前级电压采样电路连接所述误差放大器和尾部反馈电路，用于被误差放大器采样电压和提供后级输出电路所镜像的结构；所述尾部反馈电路连接所述前级电压采样电路和输出电路，用于将输出端口电压与前级相联系以提高该线性稳压器的负载调整率；所述输出电路用于镜像前级结构，构成共源级输出，增强该线性稳压器的负载瞬态响应。
-
公开(公告)号：CN202856717U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220297631.0
申请日：2012-06-22
Applicant: 江南大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 一种可变类型的Sigma-Delta调制器，包括双向开关、开关电容积分器、有源RC积分器、量化器和反馈数模转换器，具有连续时间型和离散时间型两种类型的Sigma-Delta调制器工作模式。其中双向开关由用户根据实际需要进行选择，在高频领域可令双向开关选择连续时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于离散时间型Sigma-Delta调制器中运算放大器带宽无法满足要求而导致调制器系统性能的下降；在低频领域可令双向开关选择离散时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于连续时间型Sigma-Delta调制器中RC时间常数偏差噪声导致调制器系统性能的下降。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.021 seconds)
