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公开(公告)号：CN104371540B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410652035.3
申请日：2014-11-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C09D183/04 , C09D163/00 , B05D1/38 , B05D3/04
Abstract: 本发明涉及到一种以烷基烷氧基硅烷为载体，环氧树脂和三甲基氯硅烷为改性剂的功能梯度复合结构透明超疏水涂层的制备方法。涂层的梯度复合结构为：环氧底面粘结层、烷基烷氧基硅烷疏水中间层、表面改性功能层。首先在基板上涂覆环氧底面粘结层，再涂覆烷基烷氧基硅烷疏水中间层，最后利用三甲基氯硅烷进一步改善疏水性。涂层表面纳米颗粒均匀；接触角大于150°、滚动角小于2°；具有良好的疏水性能；机械性能良好，能耐受50次5Kpa下丝巾摩擦；透光性良好。此本发明提供的制备方法工艺简单，易操作，常压下进行大面积制膜，且对基底材料要求不高，成本较低，可用在高层建筑的窗户、车辆的挡风玻璃等透明材料的防水防污方面。
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公开(公告)号：CN104087776B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100?500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W?Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W?Cu复合材料，具有W?Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN103241761B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310157263.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种三维花状微纳米氧化铜的简易制备方法，该方法包括如下步骤：(1)纳米铜溶胶的制备：使用硼氢化钾作为还原剂，十六烷基三甲基溴化铵作为保护剂，在常温水溶液中还原铜盐来制备纳米铜溶胶；(2)纳米铜的氧化：在较低的温度下静置一段时间，使纳米铜粒子充分氧化成氧化铜粒子；(3)纳米氧化铜的陈化生长：在较低温度下，纳米氧化铜粒子规则地聚集生长成三维花状氧化铜。本发明实现了简便、低成本化制备三维花状微纳米氧化铜的方法，克服了传统制备该材料所需的高温高压的条件；制备的氧化铜材料具有结构新颖、形貌大小均一、表面粗糙度高等特点，适合做催化剂和气敏材料等。
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公开(公告)号：CN103849824A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410086701.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C49/10 , C22C47/14 , C22C47/04 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明是一种CNT增强W-Cu热用复合材料的制备方法，具体是：采用包覆的方法制备Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末，然后将Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%、Cu@W=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述CNT增强W-Cu热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强W-Cu复合材料，具有热导率高、W和Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103317140A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310255027.0
申请日：2013-06-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F7/02
Abstract: 本发明涉及流延法制备W-Cu体系梯度复合材料的方法，其步骤包括：(1)金属粉非水基流延料浆制备及流延成型：将球磨混合后的金属粉非水基料浆经除泡、过滤后在流延机上流延成型，在空气中干燥后制得单组分金属流延膜带；(2)梯度结构设计、裁剪、叠层：根据铜含量沿厚度方向分布函数C=C0+Axp的设计，将不同W-Cu组分的流延膜片裁剪后叠层成梯度结构的生坯；(3)生坯排胶和热压烧结：将生坯在氮氢混合气氛中排胶后，在真空热压炉中烧结成型。本发明工艺简单、成本低，所制备的复合材料的单组分层厚度可以达到微米量级、组分变化平缓、过渡层光滑连续，并且具有较良好的电热学性能，可以用于电触头、电子封装等热电领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103059492A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210588080.8
申请日：2012-12-31
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米银粒径和含量可控且分布均匀的高Ag含量Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将纳米银种子溶液倒入高温的DMF/PMMA/PVP混合体系中，经高温反应制备Ag/PMMA纳米复合溶胶；（2）将Ag/PMMA纳米复合溶胶涂覆在基板上，在低温下真空干燥除去DMF，得到Ag/PMMA纳米复合材料。本发明的优点在于：（1）可保证高含量的纳米银在PMMA基体中的均匀分散且粒径和含量可控；（2）可提高银离子还原速率，有利于生成粒径均匀的纳米银；（3）在低温下真空干燥，可阻止干燥过程中纳米银的团聚和生长；（4）选择分子量较高的PMMA作为原料，制备的复合材料性能好。
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公开(公告)号：CN102424706B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110305932.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种聚甲基丙烯酸甲酯泡孔梯度材料的制备方法，具体是：将装有聚甲基丙烯酸甲酯的单向开口模具放入高压釜中，控制高压二氧化碳在聚甲基丙烯酸甲酯中定向吸附形成浓度梯度，二氧化碳压力为10～30MPa，温度为50～150℃，保温保压1～60min后泄压，最后用冰水混合物将试样冷却至室温，得到泡孔梯度材料；在表层的高浓度二氧化碳扩散区域形成泡孔直径较小、孔壁较薄的孔结构，在中部的低浓度区域形成泡孔直径较大、孔壁较厚的孔结构，最内层为致密的聚甲基丙烯酸甲酯基体，试样孔隙率从表层到内层由高到低连续变化。该梯度材料的泡孔直径可控制在微米量级，具有良好的尺寸稳定性、较宽的孔隙率变化范围和较高的力学强度。
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公开(公告)号：CN101817083B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010143559.1
申请日：2010-04-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及流延法制备Mg-Cu体系密度梯度材料的方法，该方法包括金属粉非水基流延料浆、流延成型、裁剪、叠层，以及将生坯进行排胶和用热压烧结步骤，其中：所述料浆中各组分质量含量为金属粉40～70％、分散剂0.6～1.2％、粘结剂2.5～3.5％、增塑剂1.6～3.5％、余量为丁酮溶剂，料浆的粘度为1～10000mPa·s，金属粉为镁粉、铜粉中的一种或者二种任意配比的混合粉，该粉粒径≤300目。该方法工艺简单、成本低，最重要的是所制备的Mg-Cu体系密度梯度材料的单层厚度可以达到μm量级、密度变化平缓、过渡层光滑连续的特点。
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公开(公告)号：CN102059449A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010596717.9
申请日：2010-12-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法，该方法步骤包括：（1）工件表面清理步骤：将钨合金、钽合金加工到规定尺寸，除去它们和中间层-镍箔待焊面的氧化层；（2）工件组装步骤：将中间层-镍箔置于钨合金与钽合金之间，构造被焊接工件；（3）真空扩散焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力并随炉冷却。本发明能够克服现有焊接技术无法在低温下实现钨合金与钽合金的高质量扩散焊接的问题，特别适合钨合金和钽合金之间在低温下可靠且精密的扩散焊接，所制备的钨钽焊接体可以用于动高压物理和核聚变等研究领域。
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公开(公告)号：CN101983807A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010552439.7
申请日：2010-11-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种金属流延料浆的制备方法。一种稳定的高固相含量W-Cu金属流延料浆的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料的选取：按各原料所占质量百分数为：金属粉70～80％、溶剂11～25％、分散剂0.8～1.2％、第一粘结剂1.0～2.0％、第一增塑剂0.6～1.4％、第二粘结剂2.0～4.0％、第二增塑剂0.6～1.4％，选取；2)一次球磨：将溶剂和分散剂混合，加入金属粉后搅拌，球磨；3)二次球磨：加入第一粘结剂和第一增塑剂，球磨；4)三次球磨：加入第二粘结剂和第二增塑剂，球磨；5)除气泡，得到高固相含量W-Cu金属流延料浆。该方法工艺简单、成本低，所制备的料浆具有固相含量高、稳定性好、粘度适中、适合流延成型的特点。
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