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公开(公告)号：CN114975668B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210592629.4
申请日：2022-05-27
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/074 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，设置有作为浮动结的N型轻掺杂层以及部分位于浮动结中的SE重掺杂区；通过这种正面叠加SE的浮动结结构与所述P型硅基底背光面的发射区的配合，能有效提高背接触电池的载流子的分离和收集效率，有效减少载流子的复合，从而增加电池的转换效率；同时，因为SE设置于正面，可以使得背光面的空间留有富余，能够适当增加基区的宽度，因而降低了制造工艺的难度。
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公开(公告)号：CN115295674A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210984863.1
申请日：2022-08-17
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：硅片基体依次经前处理、氧化处理、离子注入、清洗以及后处理，得到所述背接触太阳能电池；所述离子注入的剂量≤5×1015cm‑2。本发明通过引入氧化处理与离子注入工艺，可以有效改善隧穿氧化层的氧化电荷含量，从而提高隧穿氧化层的致密性与抗击穿性，提高钝化效果，显著降低背接触太阳能电池的漏电风险。
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公开(公告)号：CN114664979A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210578420.2
申请日：2022-05-26
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , C23C16/24 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon钝化结构的制备方法。本发明TOPCon钝化结构的制备方法包括以下步骤：（1）炉管内杂质抽空；（2）进行本征多晶硅淀积；（3）将炉管中多余的硅烷抽出；（4）原位掺杂多晶硅层淀积；（5）充惰性气体出舟。本发明还公开了一种TOPCon钝化结构的制备方法得到的结构。该方法有效提高了背钝化层生长速率的同时降低方块电阻，提升了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113257927A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110538791.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种PERC电池背钝化结构、PERC电池及制备方法，所述的PERC电池背钝化结构包括设置于硅基体背面的晶态氧化硅层。本发明采用晶态氧化硅替换传统的非晶态氧化硅，晶态氧化硅中的原子分布具有长程有序性，因此，相比于非晶态氧化硅层，晶态氧化硅层的致密程度更高，钝化效果更好，界面态缺陷密度可以低至1010cm‑2eV‑1，提升了PERC电池的综合性能。
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公开(公告)号：CN119170681B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411639238.9
申请日：2024-11-18
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法。本发明TBC电池硅片背面的隔离区表面依次设有AlOx层、高折射率SiNx层和低折射率SiNx层。首先，与常规隔离区表面为金字塔绒面相比，本发明为抛光隔离区结构，可有效增强硅片背面对光的内反射效应，提升电池光学性能；其次，本发明TBC电池中硅片基底的隔离区表面与其两侧的p区、n区表面的高度差较小，几乎齐平，有利于改善载流子在硅片基底的传输性能，同时提高成品电池良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119653901A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411762399.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了TOPCon电池制备方法及TOPCon电池，TOPCon电池制备方法包括：形成电池层，电池层具有硼掺杂层和位于硼掺杂层一侧表面的第一钝化层；对第一钝化层背离硼掺杂层的一侧表面进行清洁处理和刻蚀处理；采用激光增强接触优化工艺在第一钝化层背离硼掺杂层的一侧表面形成金属接触层；在金属接触层背离电池层的一侧表面形成复合介质层；在复合介质层背离金属接触层的一侧表面形成第一电极。通过对第一钝化层背离硼掺杂层的一侧表面进行清洁处理，以提高第一钝化层背离硼掺杂层一侧表面的洁净度，激光增强接触优化工艺可局部破坏第一钝化层，以使得金属接触层与硼掺杂层接触，以提高金属接触层与硼掺杂层的连接稳固性。
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公开(公告)号：CN119604074A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510138252.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/70 , H10F10/14 , H10F77/1223
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法。本发明借助紫外激光氧化工艺以及通过巧妙合理的步骤设计，可使硅片基底在碱清洗或碱洗制绒过程中免受碱腐蚀，从而确保隔离区表面的p区、隔离区和n区高度齐平且为抛光面结构，有利于提升电池性能，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN119521858A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411702461.3
申请日：2024-11-26
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光伏技术领域，公开了钝化接触太阳能电池及其制备方法。制备方法，包括：提供具有相对的第一表面和第二表面的基底层；在基底层的第一表面上形成氧化层；对氧化层的表面进行激光烧结处理；在激光烧结处理后的氧化层上形成第一掺杂层；在基底层的第二表面上形成第二掺杂层；在基底层的第一表面一侧形成连接第一掺杂层的第一电极，在基底层的第二表面一侧形成连接第二掺杂层的第二电极。本发明中，对氧化层激光烧结处理实现氧化层表面的精准优化，改善表面和界面特性，进而降低氧化层与基底层和第一掺杂层的表面复合速率，提高载流子寿命，从而提升电池的光电转换效率和稳定性，从而提高发电效率。
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公开(公告)号：CN119384062A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411433243.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/70 , H01L21/268 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种晶硅太阳能电池硅片的制绒方法，包括：S1、对硅片激光一次晶化处理；S2、一次碱抛光；S3、对硅片上线痕凹槽底部激光图形化二次晶化处理；S4、二次碱抛光；S5、将硅片浸入HF/HNO3混合溶液中预处理，使硅片表面生成多孔硅层；S6、碱制绒。本发明通过对硅片进行“激光一次晶化→一次碱抛光→激光二次晶化→二次碱抛光→HF/HNO3体系预处理”，可大幅缩减制绒时间，且在硅片表面生成的金字塔绒面更为均匀，可有效降低绒面反射率。
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公开(公告)号：CN118899369B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411399557.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种激光晶化制备TBC太阳能电池的方法。本发明方法先生成磷扩散层，再沉积硼掺杂非晶硅层，然后借助局域激光晶化将硼掺杂非晶硅转化为硼掺杂多晶硅层，可有效提升晶化率并降低接触电阻，进而提升电池性能。本发明方法可有效避免常规工艺高温硼扩散过程中磷原子内扩严重现象，为当前TBC太阳能电池制备工艺提供了另一种新路径。
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