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公开(公告)号：CN108199782B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810164375.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本发明为一种基于等离子器件的透射型太赫兹波编码器及编码系统，本编码器包括硅衬底和其顶面N×N个正方形单元结构成的二维阵列。每个单元结构包括一个与之中心重合的金属结构，即“U”形结构和其右侧与其竖直部分平行的“l”形结构，二者横向中分线重合。本编码系统太赫兹源和接收器之间为本发明的太赫兹波编码器，编码器置于可围绕Y或Z轴旋转的样品架。太赫兹波沿X轴偏振并沿Z轴传播。编码器二维阵列面向太赫兹源。本编码器与太赫兹波光轴或偏振方向的相对角度改变时，编码器中的表面等离子激元的共振特性改变，独立控制双频段的透射率，实现双频段太赫兹波的二进制编码。本编码器结构单一，易于制造；本系统操作方便，实用性强。
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公开(公告)号：CN111799900A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010641899.0
申请日：2020-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种高效的远距离无线电能传输方案。其特征是：它由多个平行螺旋线圈组成，包括发射级线圈1中间级线圈2接收级线圈3，所述线圈中发射线圈1和接收线圈3是可调控频率的螺旋线圈，中间级线圈3是由多个固定频率的螺旋线圈组成的。本发明可用于智能电子设备无线充电，可广泛用于无线电能传输、物联网等领域。
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公开(公告)号：CN111767678A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010642286.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于深度学习神经网络的超材料电磁感应透明器件结构的按需设计方法。其特征是：深度学习神经网络全部由全连接层构成，其数据驱动的方法可以表示和泛化复杂的函数或数据，从而发现大量变量之间的未知关系。解决了利用传统数值算法来设计超材料电磁感应透明器件结构过程中的求解麦克斯韦方程组在极其复杂的边界条件下高度非线性求解问题的耗时与可行性问题。本发明可用于根据光谱反向按需设计电磁感应透明器件结构，可广泛用于慢光效应、非线性光学、光学传感和光学存储等方面。
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公开(公告)号：CN111273385A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010216122.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件，当光入射到金属微纳器件时，抑制模式和透射模式会被激发，产生带宽只有几纳米的多透射峰。抑制模式能够抑制光的透射，是所述周期性薄金属光栅与所述高折射率介质层和所述低折射率介质层所形成的多阶杂化波导模式，透射模式能够增强光的透射，是所述高折射率介质层和所述低折射率介质层产生的多阶腔模式。当抑制模式和透射模式相互作用时，就能够产生超窄带多透射峰，得到可见光谱中两个或两个以上不同中心波长的透射峰。所提出的金属微纳器件在滤波、传感和检测方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110401496A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910623913.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本发明提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本发明提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108199782A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810164375.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
CPC classification number: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/5167
Abstract: 本发明为一种基于等离子器件的透射型太赫兹波编码器及编码系统，本编码器包括硅衬底和其顶面N×N个正方形单元结构成的二维阵列。每个单元结构包括一个与之中心重合的金属结构，即“U”形结构和其右侧与其竖直部分平行的“l”形结构，二者横向中分线重合。本编码系统太赫兹源和接收器之间为本发明的太赫兹波编码器，编码器置于可围绕Y或Z轴旋转的样品架。太赫兹波沿X轴偏振并沿Z轴传播。编码器二维阵列面向太赫兹源。本编码器与太赫兹波光轴或偏振方向的相对角度改变时，编码器中的表面等离子激元的共振特性改变，独立控制双频段的透射率，实现双频段太赫兹波的二进制编码。本编码器结构单一，易于制造；本系统操作方便，实用性强。
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公开(公告)号：CN208369592U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820277628.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本实用新型为一种基于等离子器件的透射型太赫兹波编码器及编码系统，本编码器包括硅衬底和其顶面N×N个正方形单元结构成的二维阵列。每个单元结构包括一个与之中心重合的金属结构，即“U”形结构和其右侧与其竖直部分平行的“l”形结构，二者横向中分线重合。本编码系统太赫兹源和接收器之间为本实用新型的太赫兹波编码器，编码器置于可围绕Y或Z轴旋转的样品架。太赫兹波沿X轴偏振并沿Z轴传播。编码器二维阵列面向太赫兹源。编码器与太赫兹波光轴或偏振方向的相对角度改变时，编码器中表面等离子激元的共振特性改变，独立控制双频段的透射率，实现双频段太赫兹波的二进制编码。本编码器结构单一，易制造；本系统操作方便，实用性强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210137331U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201920821523.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供了一种保密传输系统及芯片，加密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片上发射太赫兹波，太赫兹波经附太赫兹芯片进行低频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息加密；在解密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片发射太赫兹波，激光发射源向太赫兹芯片发射激光，太赫兹波与激光经太赫兹芯片进行高频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息解密。太赫兹芯片包括衬底以及衬底顶面的二维阵列；二维阵列由周期排列的单元结构组成。单元结构包括金属结构主体、金属结构上形成有凹槽，在凹槽中还设有关于金属结构中心线对称的金属块和半导体材料块。本实用新型利用了太赫兹芯片对太赫兹波进行带通滤波，实现了便捷的保密传输。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209046649U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821965798.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本实用新型为一种透射型太赫兹波编码器及2比特编码系统，本编码器包括蓝宝石衬底和其顶面N×M个长方形单元结构成的二维阵列。每个单元结构包括两个纵向中心线重合的子结构，第一子结构为一个“口”形硅结构和一个置于其上的下中心有开口槽的“口”形金属结构，第二子结构为一个“凵”形硅结构和一个置于其上的横竖断开的“凵”形金属结构。本编码系统太赫兹源和接收器之间为上述太赫兹波编码器，其二维阵列面向太赫兹源。本编码系统采用激光光源和空间光调制器调控编码器二维阵列的照明区域，被激光照明部分的硅结构产生光生载流子，编码器的电磁响应特性改变，独立控制高低频段的透射率，实现对太赫兹波的2比特编码，且操作简单方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213934273U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023275147.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种双频、吸收效果好，结构简单、实用性较强的近红外波段的双频带吸波器。该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器，包括金属衬底；所述金属衬底上方设置有三层混合介质结构；所述混合介质结构包括高折射率介质层和低折射率介质层；所述低折射率介质层位于高折射率介质层上方；所述高折射率介质层和低折射率介质层固定连接；最顶层的混合介质结构上的低折射率介质层上设置有矩形阵列分布的井字形结构；且所述井字形结构与低折射率介质层固定连接；最底层的混合介质结构上的高折射率介质层与金属衬底固定连接。采用该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器在945nm和1287nm左右得到两个吸收峰，其吸收率均达到了99.99％以上。
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