公开(公告)号：CN113121124A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110329970.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周威 ,  钟福新 ,  劳昌玲 ,  王家钰 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/25 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。（1）将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应，冷却，去离子水冲洗三遍后烘干，得到Fe2O3/FTO。（2）将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上，重复1~5次，放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中，于烘箱里反应，即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结，其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。

公开(公告)号：CN108336187B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。

公开(公告)号：CN109574064A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811627614.7

申请日：2018-12-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 赵英杰 ,  钟福新 ,  王晓娟 ,  伍泳斌 ,  莫德清

IPC: C01G3/02

CPC classification number: C01G3/02

Abstract: 本发明公开了一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~110℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063~0.4217 V的Cl/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。

公开(公告)号：CN108298574A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810148552.5

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C01G3/02 ,  C03C17/25 ,  C03C17/27

CPC classification number: C01G3/02 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C03C17/25 ,  C03C17/27 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/71 ,  C03C2217/90 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/322

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/L CTAB溶液、5.00 mL 0.05~0.30 mol/L NaOH溶液、0.0975~0.0985 g Zn粉混合均匀配制成反应溶液。（2）将反应溶液置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200 ℃烘箱中反应4~10 小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.2866 V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不是很高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。

公开(公告)号：CN108265280A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810148525.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C23C18/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C23C18/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。

公开(公告)号：CN106757120A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710064967.X

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 江瑶瑶 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C25B1/00 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C25B1/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/883

Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。

公开(公告)号：CN106591922A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710064971.6

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 高云鹏 ,  钟福新 ,  黎燕 ,  江瑶瑶 ,  莫德清

IPC: C25D11/34

CPC classification number: C25D11/34

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值　0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。

公开(公告)号：CN105800952A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610106967.7

申请日：2016-02-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 王晶晶 ,  钟福新 ,  黎燕 ,  江瑶瑶 ,  莫德清 ,  朱义年

IPC: C03C17/34

CPC classification number: C03C17/3476

Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将15mL~45mL浓度为0.1mol/L的Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合。（3）在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯NMP、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的Na2EDTA和5mL浓度为0.01mol/L的SDBS。（4）将步骤（3）所得溶液置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15mL~45mL步骤（1）所得的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL的H2O，在氩气保护下恒温反应回流20~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，样品分散性好，易存储，无污染，并具有较好的光电性能等特点。

公开(公告)号：CN105753034A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610106968.1

申请日：2016-02-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 江瑶瑶 ,  钟福新 ,  王晶晶 ,  高云鹏 ,  莫德清

IPC: C01G3/02

CPC classification number: C04B7/38

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。

公开(公告)号：CN103922612B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410163646.1

申请日：2014-04-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王丹宇 ,  黎燕 ,  王伟 ,  莫德清 ,  王苏宁 ,  朱义年

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次，ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。