公开(公告)号：CN108336186B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201810148538.5

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。

公开(公告)号：CN108336186A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810148538.5

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。

公开(公告)号：CN108298574A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810148552.5

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C01G3/02 ,  C03C17/25 ,  C03C17/27

CPC classification number: C01G3/02 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C03C17/25 ,  C03C17/27 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/71 ,  C03C2217/90 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/322

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/L CTAB溶液、5.00 mL 0.05~0.30 mol/L NaOH溶液、0.0975~0.0985 g Zn粉混合均匀配制成反应溶液。（2）将反应溶液置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200 ℃烘箱中反应4~10 小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.2866 V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不是很高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。

公开(公告)号：CN108265280A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810148525.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 丁红 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: C23C18/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C23C18/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。