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公开(公告)号：CN108374167B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN108336186B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810148538.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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公开(公告)号：CN108374167A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN108336186A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810148538.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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公开(公告)号：CN105670634A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610106966.2
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/007
Abstract: 本发明公开了一种有机液相法可控制备CdSe量子点的方法。（1）在氩气保护下，将0.316 g硒粉和3.528g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将20mL浓度为 0.03mol/L 的Cd(NO3)2·4H2O溶液和10mL分析纯甘油加入到三口烧瓶中混合均匀。（3）在步骤（2）所得溶液中加入6mL分析纯油酸、30mL分析纯 NMP、5mL~20mL浓度为 0.01mol/L的Na2EDTA、5mL~20mL 浓度为0.03mol/L的SDBS混合均匀。（4）置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15~20mL Na2SeSO3溶胶，在氩气保护下恒温反应回流10~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，最显著的特点是有机相法合成CdSe量子点，分散性好、工艺简单、易存储、无污染、可控性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904166B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953g Cd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197g TeO2于烧杯中，滴加1mol/L NaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297g Na2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号：CN115028373A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210488332.3
申请日：2022-05-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结的制备方法。(1)将九水合硝酸铁、草酸钠和六水合硝酸镧溶于20mL pH为5.10～5.90的去离子水中，倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应6～10h，冷却，洗净后烘干，得到镧‑三氧化二铁/FTO。(2)将三水合醋酸钠、CTAB、一水合醋酸铜、六水合硝酸镧溶于85mL pH为5.10～5.90去离子水中。以镧‑三氧化二铁/FTO作为阴极，Pt片作为阳极，在直流电压下沉积，即得到双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN106757120B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710064967.X
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号：CN106835242A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710064972.0
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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公开(公告)号：CN103904167B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL 0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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