公开(公告)号：CN109742186A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811627613.2

申请日：2018-12-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 赵英杰 ,  钟福新 ,  王晓娟 ,  伍泳斌 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开了一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和CdSO4溶液并搅拌混合均匀，再加入NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602 V的Cd/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。

公开(公告)号：CN108336187A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。

公开(公告)号：CN108336187B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。

公开(公告)号：CN109574064A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811627614.7

申请日：2018-12-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 赵英杰 ,  钟福新 ,  王晓娟 ,  伍泳斌 ,  莫德清

IPC: C01G3/02

CPC classification number: C01G3/02

Abstract: 本发明公开了一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~110℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063~0.4217 V的Cl/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。