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公开(公告)号：CN105226090B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510760338.1
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的发射极金属电极下方设置一辅助沟槽栅(即辅助沟槽、辅助栅层和其对应的栅氧化层的结构)，以为绝缘栅双极晶体管关断时提供载流子通路，不仅提高了绝缘栅双极晶体管的关断速度，而且提升了绝缘栅双极晶体管的反偏安全工作区特性，提高了绝缘栅双极晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN107564954A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610503258.2
申请日：2016-06-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423
Abstract: 一种功率半导体，包括：衬底；形成在衬底中的第一导电区域，第一导电区域中形成有具有第一导电类型的源极区；形成在衬底一表面的栅氧化层，栅极氧化层与源极区接触；形成在栅氧化层上的第一多晶硅层；其中，栅氧化层内部形成有第二多晶硅层，第二多晶硅层的一端位于第一导电区域上方，另一端与功率半导体的元胞右边缘对齐。该功率半导体的栅氧化层内部形成有浮空多晶硅层，因此在栅氧化层内部形成了场板结构，提高了器件的耐压性能，使得增强型载流子层的掺杂浓度及元胞之间的距离可以进一步增大，减小了器件的基区电阻及JFET区电阻，从而降低了通态压降，并实现了通态压降与耐压的良好折中。
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公开(公告)号：CN105762147A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610231918.6
申请日：2016-04-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体功率器件版图，包括：栅极沟槽的中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；虚栅沟槽位于封闭的虚栅区中间，与栅极沟槽平行，虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；基区接触区位于相邻两个栅极沟槽之间，并与栅极沟槽平行；虚栅接触孔位于虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于虚栅沟槽的宽度；源极接触孔覆盖于基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区的宽度，长度小于基区接触区的长度。所述栅极沟槽、虚栅沟槽以及基区接触区都包含水平与非水平部分，不同方向的沟槽能够分散芯片上的应力，有利于芯片采用更薄的晶圆进行制备。
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公开(公告)号：CN111735549A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910228653.8
申请日：2019-03-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01K1/14 , H01L27/07 , H01L21/8249
Abstract: 本申请公开了一种集成于IGBT芯片的温度传感器、IGBT芯片及其制造方法，在IGBT芯片的多晶硅沟槽栅中通过掺杂的方式形成多晶硅二极管，利用测量多晶硅二极管的正向压降来监测芯片的温度变化，并且沟槽栅和IGBT芯片之间设置有栅氧化层，栅氧化层108将多晶硅层101和IGBT芯片的元胞区完全隔离，且温度传感器设置于芯片的陪区(dummy)，避免了温度传感器与IGBT元胞区在工作状态下的相互干扰，因此大大简化了二者之间的隔离设计。同时，通过将二极管内建在IGBT芯片的沟槽内部，避免了对芯片表面平整度的影响，可以实现芯片表面低线宽的光刻技术，有利于芯片元胞区致密化设计。
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公开(公告)号：CN111129131A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811277094.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107808850B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201610808312.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。
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公开(公告)号：CN110828398A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810895822.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法，该一体化均热基板包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，均热版主体包括金属槽，且均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层为一体化构造。通过本申请的一体化均热基板及其制造方法，克服了使用传统焊料层连接所带来的模块热阻较大、可靠性降低、工艺复杂的问题，同时由于该均热板主体包括金属槽，使得其具有较轻的重量，达到了低热阻、均热性好以及重量轻的效果。
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公开(公告)号：CN110715952A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810768745.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供了一种压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法，包括以下步骤：步骤1.绘制器件电学参数结压降Vce与结温Tj的关系曲线；步骤2.绘制器件壳表面与散热基板直接压接接触的第一瞬态热阻抗曲线Zth-jc(direct)(t)；步骤3.绘制器件壳表面与散热基板间添加第二接触层时的第二瞬态热阻抗曲线Zth-jc(metal)(t)；步骤4.绘制瞬态热阻抗分离点曲线；步骤5.确定器件结壳热阻。本发明的测量方法能够更便捷地更准确地测量压接式功率半导体器件结壳热阻。
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公开(公告)号：CN107425061B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201610348468.9
申请日：2016-05-24
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种变掺杂阳极IGBT结构及其制作方法，IGBT结构包括集电区，其中，集电区包括有源区对应的第一集电区和终端对应的第二集电区，第一集电区的掺杂剂量高于第二集电区的掺杂剂量。由于有源区对应的第一集电区与终端对应的第二集电区的掺杂剂量不相同，第一集电区的掺杂剂量高、空穴注入效率高，而第二集电区的掺杂剂量低、空穴注入效率低，可使得该IGBT结构既能获得良好的导通性能，又具有较高的抗动态雪崩性能。
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公开(公告)号：CN109962016A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711432026.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 一种功率半导体器件的制备方法，其包括：在衬底中制作场限环和有源区，其中，场限环和有源区具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本发明所提供的功率半导体器件制作方法由于各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，因此设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。
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