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公开(公告)号：CN112750803B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911053070.2
申请日：2019-10-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供了一种母排端子，应用于大功率IGBT模块，所述母排端子包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚，所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部，及与所述管脚踝部连接的末端部，所述管脚踝部和所述末端部位于不同平面。本申请的母排端子能够更好地与衬板进行连接。不但能释放超声焊接工艺中所产生的机械应力以及后续大电流工况下的热电耦合应力，还能消减洛伦兹力在端部的电磁扭矩。
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公开(公告)号：CN110400794A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810377574.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度，成品率高且可靠性好。
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公开(公告)号：CN112750803A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911053070.2
申请日：2019-10-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供了一种母排端子，应用于大功率IGBT模块，所述母排端子包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排和所述集电极母排均包括一主体部和设置在所述主体部底部的引脚，所述引脚包括与所述主体部连接的管脚踝部，及与所述管脚踝部连接的末端部，所述管脚踝部和所述末端部位于不同平面。本申请的母排端子能够更好地与衬板进行连接。不但能释放超声焊接工艺中所产生的机械应力以及后续大电流工况下的热电耦合应力，还能消减洛伦兹力在端部的电磁扭矩。
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公开(公告)号：CN110867416A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810983857.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/055 , H01L23/492 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体与所述基板紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对设置的两所述衬板之间通过主功率端子和模块级键合线连接，所述主功率端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部；辅助端子，用于将驱动信号引入所述功率半导体模块子单元，所述辅助端子的底部引脚与所述衬板连接，所述辅助端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够提高功率半导体模块的散热效率，均衡寄生电感或电阻参数，提高工艺的一致性，损耗低，可靠性好。
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公开(公告)号：CN110828398A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810895822.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法，该一体化均热基板包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，均热版主体包括金属槽，且均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层为一体化构造。通过本申请的一体化均热基板及其制造方法，克服了使用传统焊料层连接所带来的模块热阻较大、可靠性降低、工艺复杂的问题，同时由于该均热板主体包括金属槽，使得其具有较轻的重量，达到了低热阻、均热性好以及重量轻的效果。
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