公开(公告)号：CN111223755A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811406017.1

申请日：2018-11-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  郑昌伟 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  周维 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/02 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀，以暴露电阻薄层，所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案，刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性，确保同一生产批次，以及不同生产批次的半导体器件，都能具有相同的电学性能参数。

公开(公告)号：CN107808850B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201610808312.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 戴小平 ,  齐放 ,  吴义伯 ,  周维 ,  刘国友

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。

公开(公告)号：CN107808850A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201610808312.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 戴小平 ,  齐放 ,  吴义伯 ,  周维 ,  刘国友

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。