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公开(公告)号：CN113948384A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110795314.5
申请日：2021-07-14
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/335 , H01L29/08 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法和氮化物系高电子迁移率晶体管。提供一种用于制造氮化物系高电子迁移率晶体管的PEC蚀刻技术。氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法具有如下工序：在基板上的俯视下为元件区域之外的区域设置导电性构件的工序；在基板上形成掩膜的工序，所述掩模在源凹部被蚀刻区域和漏凹部被蚀刻区域中的至少一者具有开口；通过在使设置有导电性构件且形成有掩膜的基板与蚀刻液接触的状态下对基板照射光，从而进行光电化学蚀刻，形成源凹部和漏凹部中的至少一者的工序，所述蚀刻液包含接收电子的氧化剂；以及，形成元件分离结构的工序。
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公开(公告)号：CN113728418A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080030627.5
申请日：2020-03-13
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/764 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与蚀刻对象物的同被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其在被蚀刻面上形成，由非导电性材料构成；以及，在处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中，且被蚀刻区域和导电性构件与蚀刻液接触的状态下，隔着蚀刻液对被蚀刻面照射光，由此对构成被蚀刻区域的III族氮化物进行蚀刻的工序，划定被蚀刻区域的边缘不包括导电性构件的边缘，由掩膜的边缘构成。
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公开(公告)号：CN112602171A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980056163.2
申请日：2019-08-20
IPC: H01L21/20 , C23C16/34 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 外延基板具备主面为c面的GaN基板、以及在主面上外延生长的GaN层，主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的前述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×1013cm‑3以下。
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公开(公告)号：CN112105763A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980032042.4
申请日：2019-04-08
Inventor： 堀切文正
IPC: C30B29/38 , G01B11/06 , G01N21/3563 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 一种氮化物半导体层叠物的制造方法，其中，所述氮化物半导体层叠物是使薄膜在由III族氮化物半导体的晶体形成的基板上进行同质外延生长而成的，所述制造方法具备如下的工序：使薄膜在主面的位错密度为5×106个/cm2以下、氧浓度和除n型杂质之外的杂质浓度分别小于1×1017at·cm‑3的基板上进行同质外延生长的工序；以及检查薄膜的膜质的检查工序，在检查工序中，检测通过对基板上的薄膜照射红外光而得到的反射光谱中的、在1600cm‑1以上且1700cm‑1以下的范围中确定的规定波数下的反射光量自根据薄膜的膜厚与基板及薄膜的载流子浓度而确定的规定波数下的反射光量的偏离，由此检查薄膜的膜质。
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公开(公告)号：CN110592675A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910502514.X
申请日：2019-06-11
Inventor： 堀切文正
Abstract: 本申请提供氮化物晶体基板及其制造方法。所述氮化物晶体基板由III族氮化物的晶体形成，且包含n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的吸收系数设为α(cm-1)、将载流子浓度设为Ne(cm-3)、将K和a分别设为常数时，利用α＝NeKλa···(1)(其中，1.5×10-19≤K≤6.0×10-19、a＝3)对至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围的吸收系数α进行近似，在波长2μm下，实测的吸收系数相对于由式(1)求出的吸收系数α的误差为±0.1α以内，利用红外光照射而测定的反射光谱在1200cm-1以上且1500cm-1以下的波数范围内不含具有峰顶的峰。
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公开(公告)号：CN110191979A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780080600.5
申请日：2017-11-09
Abstract: III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。
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公开(公告)号：CN113728417B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080030617.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN114072664B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080048028.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 提供一种电化学传感器单元，其具备工作电极和对电极，工作电极具有：金刚石膜，在对工作电极与对电极之间施加了电压时，在该金刚石膜的表面发生氧化还原反应；以及支承体，其由与金刚石不同的材料形成，该支承体支承金刚石膜，在从侧方观察工作电极时，支承体的与同金刚石膜接触的面相反的那一侧的面的宽度小于金刚石膜的宽度，从金刚石膜侧向工作电极供给液状的受检试样。
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公开(公告)号：CN110191979B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201780080600.5
申请日：2017-11-09
Abstract: III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。
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公开(公告)号：CN110223914A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910153240.8
申请日：2019-02-28
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/3063 , H01L29/20 , C25D11/32
Abstract: 本发明涉及GaN材料和半导体装置的制造方法，提供对GaN材料进行阳极氧化蚀刻的新型技术。使用如下的GaN材料：对该GaN材料一边照射UV光一边以1V的蚀刻电压进行阳极氧化蚀刻而形成深度2μm的凹部时，凹部底面的测定长度100μm的算术平均线粗糙度Ra为15nm以下。
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