公开(公告)号：CN115117166A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110842431.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁 ,  矶部康裕 ,  洪洪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式提供可靠性出色的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和元件分离区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；第一电极，设置在第一绝缘膜上，并沿第一方向延伸；第二电极，设置在半导体层上，在与第一方向交叉的第二方向上排列并沿第一方向延伸；第三电极，设置在半导体层上，在第二方向上排列并沿第一方向延伸；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜与半导体层之间，沿第二方向夹着第三电极；第一场板电极，设置在第一电极上，与第一电极连接；第二场板电极，设置在第一场板电极上，与第二电极连接；以及第三场板电极，设置在第三电极上，与第三电极连接。第二绝缘膜从元件分离区域上延伸至元件区域上的一部分。

公开(公告)号：CN114172123A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110029580.7

申请日：2021-01-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  岩井正明

IPC: H02H7/20 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H02M7/537

Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。

公开(公告)号：CN112532220A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010057939.7

申请日：2020-01-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H03K17/567 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供具有简易构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；常开启晶体管，具有电连接于第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；第1元件，具有电连接于第1控制电极的第1端部和电连接于第1电极的第2端部，包含第1电容成分；以及第2元件，具有电连接于第1控制电极以及第1端部的第3端部和第4端部，包含第2电容成分，在将常关断晶体管的阈值电压设为Vth，将常关断晶体管的最大栅极额定电压设为Vg＿max，将第4端部的电压设为Vg＿on，将第1电容成分设为Ca、第2电容成分设为Cb时，Vth＜(Cb/(Ca+Cb))Vg＿on＜Vg＿max。

公开(公告)号：CN111697063A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910609701.8

申请日：2019-07-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。

公开(公告)号：CN105990417A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093186.4

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大麻浩平 ,  吉冈启 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使耐压提高的半导体装置。根据实施方式，提供一种半导体装置，其包含第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层、设置在第二半导体层上的源极电极及漏极电极、栅极电极、以及第一场板电极。第二半导体层包含第一半导体部分、及薄于第一半导体部分的第二半导体部分。源极电极及漏极电极与第二半导体层电连接。栅极电极在源极电极与漏极电极之间设置在第二半导体层上。第一场板电极设置在第二半导体层上，且包含导电部。导电部在沿着从第一半导体层向第二半导体层的第一方向观察时，设置在栅极电极与漏极电极之间。导电部的端部的至少一部分位于第二半导体部分上。

公开(公告)号：CN104916704A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453135.3

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矶部康裕 ,  杉山直治

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有蓄积有压缩应力的GaN的半导体装置。实施方式的半导体装置包含GaN层、及AlXGa1-XN层；所述AlXGa1-XN层与所述GaN层接触地设于所述GaN层上，且含有C，其中0≤X＜1。